Сборки цифровых транзисторов ON Semiconductor

71
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Сборки цифровых транзисторов (71)
NSBC114YDXV6T1G NSBC114YDXV6T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.5 Вт, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзистора:
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
500mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
NSBC114YF3T5G NSBC114YF3T5G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.254 Вт, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-1123
NSBC114YPDXV6T1G NSBC114YPDXV6T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.5 Вт, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
500 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
10 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
NSBC123JPDXV6T1G NSBC123JPDXV6T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.5 Вт, 2.2 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
500 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
2.2 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
NSBC143ZDXV6T1G NSBC143ZDXV6T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.5 Вт,4.7 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзистора:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
500 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
4.7 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
NSTB60BDW1T1G NSTB60BDW1T1G Сборка: биполярный транзистор общего назначения PNP (50 В, 0.15 А, 140 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.15 А, 0.25 Вт, 22 кОм+47 кОм)
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
250 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
22 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
NSVMMUN2231LT1G NSVMMUN2231LT1G RF TRANS, NPN, 50V, 0.1A, SOT-23;
Производитель:
ON Semiconductor
NSVMUN5111DW1T3G NSVMUN5111DW1T3G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
NSVMUN5211DW1T3G NSVMUN5211DW1T3G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
NSVMUN5237T1G
Производитель:
ON Semiconductor
NSVMUN5314DW1T3G NSVMUN5314DW1T3G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
NSVMUN5316DW1T1G NSVMUN5316DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
NSVMUN5332DW1T1G NSVMUN5332DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
250 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
4.7 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
4.7 кОм
NSVMUN5333DW1T1G NSVMUN5333DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
SMUN5112DW1T1G SMUN5112DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 22 кОм+22 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
250 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
22 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
22 кОм
SMUN5113DW1T1G SMUN5113DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
187 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
47 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
SMUN5114DW1T1G SMUN5114DW1T1G DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR;
Производитель:
ON Semiconductor
SMUN5211DW1T1G SMUN5211DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
187 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
10 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
10 кОм
SMUN5213DW1T1G SMUN5213DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
187 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
47 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
SMUN5214DW1T1G SMUN5214DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
187 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
10 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
На странице: