Сборки цифровых транзисторов ON Semiconductor

71
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Сборки цифровых транзисторов (71)
SMUN5230DW1T1G SMUN5230DW1T1G DUAL NPN BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR;
Производитель:
ON Semiconductor
SMUN5232DW1T1G SMUN5232DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
187mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
4.7k
SMUN5233DW1T1G SMUN5233DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
187 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
4.7 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 531 шт
Цена от:
от 1,69
SMUN5235DW1T1G SMUN5235DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
187 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
2.2 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
SMUN5311DW1T1G SMUN5311DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
250 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
10 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
10 кОм
SMUN5311DW1T3G SMUN5311DW1T3G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
187 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
10 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
10 кОм
SMUN5312DW1T1G SMUN5312DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 22 кОм+22 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
187 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
22 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
22 кОм
SMUN5313DW1T1G SMUN5313DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
187 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
47 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
Новинка
SMUN5314DW1T1G SMUN5314DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
187 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
10 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
19 359 шт
Цена от:
от 5,27
UMC3NT1G UMC3NT1G Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.15Вт, 10 кОм+10 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 10 кОм+10 кОм) соединены база и эмиттер
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
150 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
10 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
10 кОм
UMC5NT1G UMC5NT1G Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.15Вт, 47 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 4.7 кОм+10 кОм) соединены база и эмиттер
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70
На странице: