Радиочастотные (RF FET) транзисторы NXP / Philips
30
Производитель:
NXP / Philips
AFT05MS004NT1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный радиочастотный 30В 4-Pin(3+Tab) SOT-89A лента на катушке
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-89-3
AFT05MS031GNR1
RF FET, 40V, 136MHZ-520MHZ, TO-270; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:-; Power Dissipation Pd:294W; Operating Frequency Min:136MHz; Operating Frequency Max:520MHz; RF Transistor Case:TO-270; No. o
Производитель:
NXP / Philips
Акция
AFT05MS031NR1
Транзистор полевой FET вымокочастотный 40В 520МГц TO-270-2
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
TO-270-2
AFT09MS007NT1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный радиочастотный 30В 3-Pin PLD-1.5W лента на катушке
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
PLD-1.5
AFT27S006NT1
RF FET, 65V, 728MHZ-3700MHZ, PLD-1.5W; Drain Source Voltage Vds:65V; Continuous Drain Current Id:-; Power Dissipation Pd:-; Operating Frequency Min:728MHz; Operating Frequency Max:3700MHz; RF Transistor Case:PLD-1.5W; No
Производитель:
NXP / Philips
BF510,215
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20V, 10мA, 0,25Вт
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
BF511,215
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20 В, 0,25Вт
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
Акция
BF512,215
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20 В, 30 мА, 0,25Вт
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
Акция
BF513,215
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20V, 10мA, 0,25Вт
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
BF545A,215
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 30 В, 0.25 Вт, 6.5 мА
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
BF545B,215
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 31 В, 0.25 Вт, 15 мА
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
BF992,215
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный двухзатворный 20В 40мА 200мВт 200МГц Tj=150°C
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-143B
MRF101AN
RF FET TRANSISTOR, 133V, 182W, TO-220; Drain Source Voltage Vds:133V; Continuous Drain Current Id:-; Power Dissipation Pd:182W; Operating Frequency Min:1.8MHz; Operating Frequency Max:250MHz; RF Transistor Case:TO-220; N
Производитель:
NXP / Philips
MRF101BN
RF FET TRANSISTOR, 133V, 182W, TO-220; Drain Source Voltage Vds:133V; Continuous Drain Current Id:-; Power Dissipation Pd:182W; Operating Frequency Min:1.8MHz; Operating Frequency Max:250MHz; RF Transistor Case:TO-220; N
Производитель:
NXP / Philips
MRF300AN
Транзистор полевой MOSFET N-канальный радиочастотный 133В 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
TO-247
Сообщите мне о поступлении товара