Транзисторы управляемые p-n переходом ON Semiconductor

62
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Проводимость (N/P)
Напряжение сток-исток макс.
Напряжение отсечки (при токе)
Мощность Макс.
Транзисторы управляемые p-n переходом (62)
J112-D27Z J112-D27Z 35 V, 5 MA - N-CHANNEL JFET TRANSISTOR;
Производитель:
ON Semiconductor
J112G J112G Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
35 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
1 В
Мощность Макс.:
350 мВт
J112_D26Z J112_D26Z Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 35 В, 625 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
35 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
1 В
Мощность Макс.:
625 мВт
J113-D74Z J113-D74Z JFET, -35V, 150°C, TO-92; Breakdown Voltage Vbr:-35V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:2mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:-; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-3V; Transistor Case Style:TO-92;
Производитель:
ON Semiconductor
J175-D26Z J175-D26Z JFET P-Channel Switch
Производитель:
ON Semiconductor
J176_D74Z J176_D74Z Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 350 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Проводимость (N/P):
P-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
1 В
Мощность Макс.:
350 мВт
MMBF4117 MMBF4117 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 40 В, 225 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
600 мВ
Мощность Макс.:
225 мВт
MMBF4118 MMBF4118 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 40 В, 225 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
MMBF4391 MMBF4391 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 30 В, 350 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
4 В
Мощность Макс.:
350 мВт
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
15 572 шт
Цена от:
от 6,95
MMBF4392 MMBF4392 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 30 В, 350 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
MMBF4393 MMBF4393 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 30 В, 350 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
MMBF5103 MMBF5103 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 350 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
1.2 В
Мощность Макс.:
350 мВт
MMBF5458 MMBF5458 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 25 В, 350 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
MMBF5458 MMBF5458 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 350 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
MMBF5461 MMBF5461 Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 40 В, 225 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Проводимость (N/P):
P-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
1 В
Мощность Макс.:
225 мВт
MMBF5461 MMBF5461 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
MMBF5462 MMBF5462 Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 40 В, 225 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ175 MMBFJ175 Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
MMBFJ177 MMBFJ177 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
MMBFJ211 MMBFJ211 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
На странице: