Транзисторы управляемые p-n переходом ON Semiconductor

62
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Проводимость (N/P)
Напряжение сток-исток макс.
Напряжение отсечки (при токе)
Мощность Макс.
Транзисторы управляемые p-n переходом (62)
BSR58 BSR58 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 8 мА, 0.25Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
800 мВ
Мощность Макс.:
250 мВт
Наличие:
3 215 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 14,41
Акция
J113 J113 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 625 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
35 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
500 мВ
Мощность Макс.:
625 мВт
Наличие:
546 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 16,00
-6% Акция
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
4 В
Мощность Макс.:
225 мВт
Наличие:
572 шт

Внешние склады:
15 000 шт
Цена от:
от 6,94
-6% Акция
MMBF4392LT1G MMBF4392LT1G Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
2 В
Мощность Макс.:
225 мВт
Наличие:
2 472 шт

Внешние склады:
15 000 шт
Цена от:
от 7,65
MMBF4393LT1G MMBF4393LT1G Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
500 мВ
Мощность Макс.:
225 мВт
Наличие:
3 043 шт

Внешние склады:
23 180 шт
Цена от:
от 6,01
MMBF5457 MMBF5457 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 350 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
25 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
500 мВ
Мощность Макс.:
350 мВт
Наличие:
359 шт

Внешние склады:
9 690 шт
Цена от:
от 17,32
MMBFJ112 MMBFJ112 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
35 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
1 В
Мощность Макс.:
350 мВт
Наличие:
8 390 шт

Внешние склады:
17 075 шт
Цена от:
от 7,14
MMBFJ113 MMBFJ113 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
35 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
500 мВ
Мощность Макс.:
350 мВт
Наличие:
3 418 шт

Внешние склады:
18 000 шт
Цена от:
от 6,48
MMBFJ176 MMBFJ176 Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Проводимость (N/P):
P-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
1 В
Мощность Макс.:
225 мВт
Наличие:
108 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 17,86
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Проводимость (N/P):
P-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
800 мВ
Мощность Макс.:
225 мВт
Наличие:
4 890 шт

Внешние склады:
103 904 шт
Цена от:
от 6,36
MMBFJ201 MMBFJ201 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 350 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
300 мВ
Мощность Макс.:
350 мВт
Наличие:
6 441 шт

Внешние склады:
15 000 шт
Цена от:
от 8,35
MMBFJ202 MMBFJ202 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом N-канальный 40В 350мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
800 мВ
Мощность Макс.:
350 мВт
Наличие:
3 676 шт

Внешние склады:
12 000 шт
Цена от:
от 9,28
MMBFJ270 MMBFJ270 Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Проводимость (N/P):
P-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
500 мВ
Мощность Макс.:
225 мВт
Наличие:
2 983 шт

Внешние склады:
19 450 шт
Цена от:
от 9,97
MMBFU310LT1G MMBFU310LT1G Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 225 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
25 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
2.5 В
Мощность Макс.:
225 мВт
Наличие:
796 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 12,36
Акция
PF5102 PF5102 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 40 В, 625 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
700 мВ
Мощность Макс.:
625 мВт
Наличие:
232 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6,01
2SK2394-6-TB-E 2SK2394-6-TB-E JFET, 15V, 0.02A, 150°C;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 26,82
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E RF N-CH JFET 15В 50мА 3CP
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-CP
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 18,94
2SK545-11D-TB-E 2SK545-11D-TB-E JFET NCH J-FET
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 15,09
2SK932-23-TB-E 2SK932-23-TB-E JFET NCH J-FET
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 15,49
BSR57 BSR57 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 40 В, 20 мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
2 В
Мощность Макс.:
250 мВт
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 11,48
На странице: