Транзисторы управляемые p-n переходом ON Semiconductor

62
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Проводимость (N/P)
Напряжение сток-исток макс.
Напряжение отсечки (при токе)
Мощность Макс.
Транзисторы управляемые p-n переходом (62)
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Проводимость (N/P):
P-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
800 мВ
Мощность Макс.:
225 мВт
Наличие:
14 799 шт

Внешние склады:
113 698 шт
Цена от:
от 7,87
MMBFJ112 MMBFJ112 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
35 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
1 В
Мощность Макс.:
350 мВт
Наличие:
7 095 шт

Внешние склады:
22 900 шт
Цена от:
от 9,72
MMBFJ201 MMBFJ201 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 350 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
300 мВ
Мощность Макс.:
350 мВт
Наличие:
6 085 шт

Внешние склады:
24 065 шт
Цена от:
от 8,56
MMBF4393LT1G MMBF4393LT1G Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
500 мВ
Мощность Макс.:
225 мВт
Наличие:
4 663 шт

Внешние склады:
41 930 шт
Цена от:
от 5,52
MMBFJ113 MMBFJ113 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
35 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
500 мВ
Мощность Макс.:
350 мВт
Наличие:
3 367 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 11,45
BSR58 BSR58 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 8 мА, 0.25Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
800 мВ
Мощность Макс.:
250 мВт
Наличие:
3 030 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 13,98
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
4 В
Мощность Макс.:
225 мВт
Наличие:
3 000 шт

Внешние склады:
32 260 шт
Цена от:
от 7,35
MMBF5457 MMBF5457 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 350 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
25 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
500 мВ
Мощность Макс.:
350 мВт
Наличие:
2 967 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 18,56
MMBFJ270 MMBFJ270 Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Проводимость (N/P):
P-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
500 мВ
Мощность Макс.:
225 мВт
Наличие:
2 936 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 12,62
-5% Акция
MMBF4392LT1G MMBF4392LT1G Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
2 В
Мощность Макс.:
225 мВт
Наличие:
2 160 шт

Внешние склады:
33 275 шт
Цена от:
от 9,57
MMBFJ176 MMBFJ176 Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Проводимость (N/P):
P-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
1 В
Мощность Макс.:
225 мВт
Наличие:
2 051 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 14,94
MMBFJ202 MMBFJ202 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом N-канальный 40В 350мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
800 мВ
Мощность Макс.:
350 мВт
Наличие:
1 261 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 13,31
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Проводимость (N/P):
P-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
3 В
Мощность Макс.:
225 мВт
Наличие:
1 089 шт

Внешние склады:
19 460 шт
Цена от:
от 8,83
MMBFU310LT1G MMBFU310LT1G Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 225 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
25 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
2.5 В
Мощность Макс.:
225 мВт
Наличие:
754 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 13,73
Акция
J113 J113 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 625 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
35 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
500 мВ
Мощность Макс.:
625 мВт
Наличие:
362 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 17,89
2SK2394-6-TB-E 2SK2394-6-TB-E JFET, 15V, 0.02A, 150°C;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 39,91
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E RF N-CH JFET 15В 50мА 3CP
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-CP
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 23,79
2SK545-11D-TB-E JFET NCH J-FET
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 23,24
BSR57 BSR57 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 40 В, 20 мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
2 В
Мощность Макс.:
250 мВт
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 18,70
J109-D26Z J109-D26Z JFET, N-CH, 25V, 0.04A, TO-92;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 20,93
На странице: