Сборки MOSFET транзисторов Diodes Incorporated

₁₄₆

Производитель: Diodes Incorporated

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Особенности

Automotive (20)
Logic Level Gate (16)
Standard (1)
Логическое управление (348)
стандартный (45)

Умный фильтр

Показать

Сборки MOSFET транзисторов (146)

DMN2400UFB-7 MOSFET, N-CH, 20V, 0.75A, X1-DFN1006;

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

DMN2400UFB4-7B X2-DFN1006-3 MOSFETs ROHS

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

X2-DFN1006-3

Сообщить о поступлении

DMN2400UFD-7 Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin X1-DFN T/R

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

DMN2400UFDQ-13 UDFN1212-3 MOSFETs ROHS

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

DMN2400UFDQ-7 МОП-транзистор 20V N-Ch Enh FET VL Gate 1.0V

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

DMN2400UV-7 MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-563-6

Сообщить о поступлении

DMN2450UFB4-7R Trans MOSFET N-CH 20V 1A T/R

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

DMN2450UFD-7 Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin X1-DFN T/R

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

DMN24H11DS-7 MOSFET, N-CH, 240V, 0.27A, SOT-23;

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

DMN24H3D5L-7 MOSFET, N-CH, 240V, 0.48A, SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:480mA; Drain Source Voltage Vds:240V; On Resistance Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.95V;

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

DMN2501UFB4-7 Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin X2-DFN T/R

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

DMN2550UFA-7B Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin X2-DFN T/R

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

DMN2990UDJ-7 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 450 мА

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-963

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

20 В

Ток стока макс.:

450 мА

Максимальная рассеиваемая мощность:

350 мВт

Сообщить о поступлении

DMN3024LSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 6.8 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SO-8

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

30 В

Ток стока макс.:

6.8 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

1.8 Вт

Сообщить о поступлении

DMN3024SFG-7 30V 7.5A 2.2W 23mOhm@10V,10A 2.4V 1 N-Channel PowerDI3333-8 MOSFETs ROHS

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

DMN3025LFDF-7 Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin UDFN EP T/R

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

DMN3025LFG-13 Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin PowerDI EP T/R

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

DMN3025LSS-13 Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 8-Pin SO T/R

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

DMN3190LDW-13 Dual N-Channel 30 V 190 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-363

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-363

Сообщить о поступлении

DMN3190LDW-7 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 1 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-363

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

30 В

Ток стока макс.:

1 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

320 мВт

Сообщить о поступлении