Сборки MOSFET транзисторов Diodes Incorporated

₁₄₆

Производитель: Diodes Incorporated

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Сборки MOSFET транзисторов (146)

DMN3025LFG-13 Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin PowerDI EP T/R

Производитель:

Diodes Incorporated

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 11,64₽

DMN3025LSS-13 Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 8-Pin SO T/R

Производитель:

Diodes Incorporated

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 989 шт

Цена от:

от 8,46₽

DMN3190LDW-13 Dual N-Channel 30 V 190 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-363

Производитель:

Diodes Incorporated

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

10 756 шт

Цена от:

от 5,76₽

DMN3190LDW-7 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 1 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-363

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

30 В

Ток стока макс.:

1 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

320 мВт

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 507 шт

Цена от:

от 5,28₽

DMN3190LDWQ-7 DUAL MOSFET, N-CH, 30V, 1A, SOT-363;

Производитель:

Diodes Incorporated

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 7,38₽

DMN6040SSD-13 MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SO-8

Тип транзистора:

N-Channel

Особенности:

Automotive

Напряжение сток-исток макс.:

60V

Ток стока макс.:

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

15 460 шт

Аналоги:

2 500 шт

Цена от:

от 12,66₽

DMN6070SSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 3.3 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SO-8

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

60 В

Ток стока макс.:

3.3 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

1.2 Вт

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 16,50₽

ZXMC3A17DN8TA Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOP8

Тип транзистора:

N/P-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

30 В

Ток стока макс.:

4.1 А, 3.4 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

1.25 Вт

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

500 шт

Цена от:

от 44,16₽

ZXMD63N03XTA Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 2.3 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

MSOP8

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

30 В

Ток стока макс.:

2.3 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

1.04 Вт

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 21,36₽

ZXMHC3A01T8TA Сборка из полевых транзисторов, 2N/2P-канальный, 30 В

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SM8

Тип транзистора:

2N/2P-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

30 В

Ток стока макс.:

2.7 А, 2 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

1.3 Вт

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 95,16₽

ZXMHC6A07N8TC MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOP8

Тип транзистора:

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

Особенности:

Logic Level Gate

Напряжение сток-исток макс.:

60V

Ток стока макс.:

1.39A, 1.28A

Максимальная рассеиваемая мощность:

870mW

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 44,52₽

ZXMN10A08DN8TA Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 1.6 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOP8

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

100 В

Ток стока макс.:

1.6 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

1.25 Вт

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 710 шт

Цена от:

от 32,22₽

ZXMN3G32DN8TA Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 5.5 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOP8

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

30 В

Ток стока макс.:

5.5 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

1.8 Вт

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

500 шт

Цена от:

от 35,52₽

ZXMN6A09DN8TA Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 4.3 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOP8

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

60 В

Ток стока макс.:

4.3 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

1.25 Вт

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

500 шт

Цена от:

от 47,76₽

ZXMN6A11DN8TA Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 2.5 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOP8

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

60 В

Ток стока макс.:

2.5 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

1.8 Вт

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

558 шт

Цена от:

от 31,98₽

ZXMN6A25DN8TA Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 3.8 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOP8

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

60 В

Ток стока макс.:

3.8 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

1.8 Вт

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

500 шт

Цена от:

от 76,32₽

ZXMP6A16DN8TA MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOP8

Тип транзистора:

P-Channel

Особенности:

Automotive

Напряжение сток-исток макс.:

60V

Ток стока макс.:

3.9A

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 151 шт

Цена от:

от 38,94₽

ZXMP6A17DN8TA Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 60 В, 2.7 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOP8

Тип транзистора:

2P-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

60 В

Ток стока макс.:

2.7 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

1.81 Вт

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

500 шт

Цена от:

от 50,22₽

BSS84V-7 MOSFET 2P-CH 50V 130MA SOT-563

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-563-6

Тип транзистора:

2 P-Channel (Dual)

Особенности:

Logic Level Gate

Напряжение сток-исток макс.:

50V

Ток стока макс.:

130mA

Максимальная рассеиваемая мощность:

150mW

Сообщить о поступлении

DMC1229UFDB-13 MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

6-UDFN2020 (2x2)

Тип транзистора:

N and P-Channel

Особенности:

Logic Level Gate

Напряжение сток-исток макс.:

12V

Ток стока макс.:

5.6A, 3.8A

Максимальная рассеиваемая мощность:

1.4W

Сообщить о поступлении