Сборки MOSFET транзисторов ON Semiconductor

201
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (201)
NVMFD5853NLT1G NVMFD5853NLT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 12 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Ток стока макс.:
12 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3 Вт
NVMFD5873NLT1G NVMFD5873NLT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
10 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
NVMFD5877NLT1G NVMFD5877NLT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-DFN (5x6)
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
6 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.2 Вт
NVMFD5C446NT1G NVMFD5C446NT1G MOSFET, DUAL N-CH, 40V, 127A, DFN; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:127A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:
Производитель:
ON Semiconductor
NVMFD5C462NLT1G NVMFD5C462NLT1G MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 40V, DFN-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:84A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0039ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage
Производитель:
ON Semiconductor
NVMFD5C462NT1G NVMFD5C462NT1G MOSFET, DUAL N-CH, 40V, 70A, DFN; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:70A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.
Производитель:
ON Semiconductor
NVMFD5C466NLT1G NVMFD5C466NLT1G MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 40V, DFN-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:52A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0062ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage
Производитель:
ON Semiconductor
NVMFD5C466NLWFT1G NVMFD5C466NLWFT1G MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 40V, DFN-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:52A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0062ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage
Производитель:
ON Semiconductor
NVMFD5C466NWFT1G NVMFD5C466NWFT1G N-Channel Array 40V 49A 38W Surface Mount DFN-8(4.9x5.9)
Производитель:
ON Semiconductor
NVMFD5C470NLT1G NVMFD5C470NLT1G MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 40V, DFN-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:36A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0092ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage
Производитель:
ON Semiconductor
NVMFD5C478NT1G NVMFD5C478NT1G MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 40V, DFN; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:27A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.014ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vg
Производитель:
ON Semiconductor
NVMFD5C650NLWFT1G NVMFD5C650NLWFT1G MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 60V, DFN-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:111A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0035ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltag
Производитель:
ON Semiconductor
NVMFD5C672NLWFT1G NVMFD5C672NLWFT1G MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 60V, DFN-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:49A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0098ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage
Производитель:
ON Semiconductor
NVMFD5C674NLT1G NVMFD5C674NLT1G MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 60V, DFN-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0117ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DFN8
NVMFD5C680NLT1G NVMFD5C680NLT1G MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 60V, DFN-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:26A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage
Производитель:
ON Semiconductor
NVMFD6H840NLT1G NVMFD6H840NLT1G MOSFET, DUAL N-CH, 74A, 80V, DFN;
Производитель:
ON Semiconductor
NVMFD6H846NLWFT1G
Производитель:
ON Semiconductor
NVMFS5C604NLT1G MOSFET N-CH 60V 40A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Производитель:
ON Semiconductor
NVTJD4001NT1G NVTJD4001NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 0.25 А
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
SI4532DY SI4532DY Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 3.9 А/3.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
На странице: