Сборки MOSFET транзисторов ON Semiconductor

201
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (201)
NTHD3102CT1G NTHD3102CT1G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 4 А/3.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ChipFET[тм]
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4 А, 3.1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.1 Вт
NTHD4102PT1G NTHD4102PT1G Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 2.9 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ChipFET[тм]
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
2.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.1 Вт
NTHD4502NT1G NTHD4502NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 2.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ChipFET[тм]
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
2.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
640 мВт
NTJD4105CT2G NTJD4105CT2G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В/8 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В, 8 В
Ток стока макс.:
630 мА, 775 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
270 мВт
NTJD4158CT1G NTJD4158CT1G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В/20 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В, 20 В
Ток стока макс.:
250 мА, 880 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
270 мВт
NTLUD3A260PZTAG NTLUD3A260PZTAG Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 1.3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-UDFN (1.6x1.6)
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
1.3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
500 мВт
NTMD4840NR2G NTMD4840NR2G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
4.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
680 мВт
NTMD5838NLR2G NTMD5838NLR2G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 7.4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Ток стока макс.:
7.4 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2.1 Вт
NTMD6N03R2G NTMD6N03R2G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
6 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.29 Вт
NTMD6P02R2G NTMD6P02R2G Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4.8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4.8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
750 мВт
NTUD3170NZT5G NTUD3170NZT5G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 0.22 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-963
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
220 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
125 мВт
NVMFD5853NLT1G NVMFD5853NLT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 12 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Ток стока макс.:
12 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3 Вт
NVMFD5873NLT1G NVMFD5873NLT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
10 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
NVMFD5877NLT1G NVMFD5877NLT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-DFN (5x6)
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
6 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.2 Вт
NVMFD5C466NLWFT1G NVMFD5C466NLWFT1G MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 40V, DFN-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:52A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0062ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage
Производитель:
ON Semiconductor
NVMFD5C470NLT1G NVMFD5C470NLT1G MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 40V, DFN-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:36A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0092ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage
Производитель:
ON Semiconductor
NVMFD6H846NLWFT1G
Производитель:
ON Semiconductor
NVMFS5C604NLT1G MOSFET N-CH 60V 40A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Производитель:
ON Semiconductor
NVTJD4001NT1G NVTJD4001NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 0.25 А
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
SI4532DY SI4532DY Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 3.9 А/3.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
На странице: