Сборки MOSFET транзисторов ON Semiconductor

201
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (201)
FDS89141 FDS89141 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 3.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
100 В
Ток стока макс.:
3.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.6 Вт
FDS89161 FDS89161 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 2.7 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
100 В
Ток стока макс.:
2.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.6 Вт
FDS89161LZ FDS89161LZ Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 2.7 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
100 В
Ток стока макс.:
2.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.6 Вт
FDS8928A FDS8928A Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В/20 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В, 20 В
Ток стока макс.:
5.5 А, 4 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
900 мВт
FDS8935 FDS8935 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 80 В, 2.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
80 В
Ток стока макс.:
2.1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.6 Вт
FDS8949 FDS8949 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Ток стока макс.:
6 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2 Вт
FDS8958B FDS8958B Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
6.4 А, 4.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
900 мВт
FDS8978 FDS8978 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 7.5 А, 1.6 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
7.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.6 Вт
FDS8984 FDS8984 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 7 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.6 Вт
FDS9934C FDS9934C Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 6.5 А/5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
6.5 А, 5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
900 мВт
FDS9953A FDS9953A Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 2.9 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
2.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
900 мВт
FDS9958 FDS9958 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 60 В, 2.9 А, 2 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
2.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
900 мВт
FDY1002PZ FDY1002PZ Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 0.83 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-89
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
830 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
446 мВт
FDY3000NZ FDY3000NZ Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-89
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
600 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
446 мВт
FDY4000CZ FDY4000CZ Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-89
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
600 мА, 350 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
446 мВт
FQS4903TF FQS4903TF Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 500 В, 0.37 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
стандартный
Напряжение сток-исток макс.:
500 В
Ток стока макс.:
370 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
2 Вт
FW389-TL-2W FW389-TL-2W Полевой транзистор
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
N+P-channel
Напряжение сток-исток макс.:
100V
Ток стока макс.:
2A
MCH6342-TL-W MCH6342-TL-W МОП-транзистор PCH 1.8В Power MOSFE
Производитель:
ON Semiconductor
MCH6662-TL-W Trans MOSFET N-CH 20V 2A 6-Pin MCPH T/R
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
N-Channel
Напряжение сток-исток макс.:
20V
Ток стока макс.:
2A
NDC7001C NDC7001C Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 60 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
510 мА, 340 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
На странице: