Сборки MOSFET транзисторов ON Semiconductor

201
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (201)
NDC7002N NDC7002N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 50 В, 510 мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
50 В
Ток стока макс.:
510 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
NDC7003P NDC7003P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 60 В, 340 мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
340 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
NDS9945 NDS9945 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 3.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
3.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
900 мВт
NDS9952A NDS9952A Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
3.7 А, 2.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
900 мВт
NTGD3148NT1G NTGD3148NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
900 мВт
NTHC5513T1G NTHC5513T1G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 1206 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ChipFET[тм]
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
2.9 А, 2.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.1 Вт
NTHD3100CT1G NTHD3100CT1G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ChipFET[тм]
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
2.9 А, 3.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.1 Вт
NTHD3102CT1G NTHD3102CT1G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 4 А/3.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ChipFET[тм]
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4 А, 3.1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.1 Вт
NTHD4102PT1G NTHD4102PT1G Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 2.9 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ChipFET[тм]
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
2.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.1 Вт
NTHD4502NT1G NTHD4502NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 2.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ChipFET[тм]
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
2.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
640 мВт
NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3 А, 1.13Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ChipFET[тм]
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.13 Вт
Акция
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 8 В, 1.3 А, 0.4Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
стандартный
Напряжение сток-исток макс.:
8 В
Ток стока макс.:
1.3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
400 мВт
NTJD4105CT2G NTJD4105CT2G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В/8 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В, 8 В
Ток стока макс.:
630 мА, 775 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
270 мВт
NTJD4158CT1G NTJD4158CT1G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В/20 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В, 20 В
Ток стока макс.:
250 мА, 880 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
270 мВт
NTJD4401NT1G NTJD4401NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 630 мА, 0.55Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
630 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
270 мВт
NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.295 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC70-6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
295 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
250 мВт
NTLJD3119CTBG NTLJD3119CTBG Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-WDFN (2x2)
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
2.6 А, 2.3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
710 мВт
NTLJD4116NT1G NTLJD4116NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 2.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-WDFN (2x2)
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
2.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
710 мВт
NTLUD3A260PZTAG NTLUD3A260PZTAG Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 1.3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-UDFN (1.6x1.6)
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
1.3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
500 мВт
NTMC083NP10M5L NTMC083NP10M5L MOSFET, N/P-CH, 100V, 4.1A, SOIC;
Производитель:
ON Semiconductor
На странице: