Сборки MOSFET транзисторов ON Semiconductor

201
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (201)
NTMD3P03R2G NTMD3P03R2G Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 2.34 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
2.34 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
730 мВт
NTMD4840NR2G NTMD4840NR2G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
4.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
680 мВт
NTMD4N03R2G NTMD4N03R2G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
4 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2 Вт
NTMD5838NLR2G NTMD5838NLR2G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 7.4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Ток стока макс.:
7.4 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2.1 Вт
NTMD6N02R2G NTMD6N02R2G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3.92 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
3.92 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
730 мВт
NTMD6N03R2G NTMD6N03R2G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
6 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.29 Вт
NTMD6P02R2G NTMD6P02R2G Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4.8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4.8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
750 мВт
NTMFD016N06CT1G NTMFD016N06CT1G DUAL MOSFET;
Производитель:
ON Semiconductor
NTMFD5C680NLT1G NTMFD5C680NLT1G MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 26A, DFN; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:26A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.2
Производитель:
ON Semiconductor
NTTFD4D0N04HLTWG NTTFD4D0N04HLTWG MOSFET, DUAL N-CH, 40V, 60A, WQFN;
Производитель:
ON Semiconductor
NTTFD9D0N06HLTWG NTTFD9D0N06HLTWG MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 38A, WQFN;
Производитель:
ON Semiconductor
NTUD3169CZT5G NTUD3169CZT5G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-963
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
220 мА, 200 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
125 мВт
NTUD3170NZT5G NTUD3170NZT5G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 0.22 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-963
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
220 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
125 мВт
NTZD3154NT1G NTZD3154NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 540 мА, 0.25Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
540 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
250 мВт
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 0.54 А/0.43 А, 0.25Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
540 мА, 430 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
250 мВт
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзистора:
N+P-channel
Напряжение сток-исток макс.:
20V
Ток стока макс.:
0.54A/0.43A
NTZD5110NT1G NTZD5110NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.294 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
294 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
250 мВт
NVJD4401NT1G NVJD4401NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 0.63 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
630 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
270 мВт
NVLJWD023N04CLTAG 40V 25A 33m? 1.2V One N-channel 24W WDFNW-6(2.2x2.3) Single FETs, MOSFETs RoHS
Производитель:
ON Semiconductor
NVLJWS013N03CLTAG 30V 35A 13m?@10V,8A 2V One N-channel WDFNW-6(2.05x2.05) Single FETs, MOSFETs RoHS
Производитель:
ON Semiconductor
На странице: