Сборки MOSFET транзисторов Vishay

92
Производитель: Vishay
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (92)
SI4922BDY-T1-GE3 SI4922BDY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 8 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
стандартный
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
SI4925BDY-T1-E3 SI4925BDY-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 5.3 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
5.3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.1 Вт
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 8 А, 5W
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
стандартный
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
5 Вт
SI4931DY-T1-GE3 SI4931DY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 12 В, 6.7 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
12 В
Ток стока макс.:
6.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.1 Вт
SI4932DY-T1-GE3 SI4932DY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 8 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.2 Вт
SI4936BDY-T1-E3 SI4936BDY-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 6.9 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
6.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2.8 Вт
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 5.8 А, 2.3 Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
5.8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2.3 Вт
SI4943CDY-T1-GE3 SI4943CDY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 8 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 6.5 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
6.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.7 Вт
SI4946BEY-T1-GE3 SI4946BEY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 6.5 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
6.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.7 Вт
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 60 В, 2.4 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
2.4 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.4 Вт
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 60 В, 2.4 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
2.4 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.4 Вт
SI4953ADY-T1-E3 SI4953ADY-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 3.7 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
3.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.1 Вт
SI4963BDY-T1-E3 SI4963BDY-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4.9 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.1 Вт
SI4963BDY-T1-GE3 SI4963BDY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4.9 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.1 Вт
SI5504BDC-T1-E3 SI5504BDC-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 4 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
ChipFET8
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
4 А, 3.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.12 Вт, 3.1 Вт
SI5504BDC-T1-GE3 SI5504BDC-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 4 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
ChipFET8
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
4 А, 3.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.12 Вт, 3.1 Вт
SI5513CDC-T1-E3 SI5513CDC-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 4 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
ChipFET8
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4 А, 3.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
SI5513CDC-T1-GE3 SI5513CDC-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 4 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
ChipFET8
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4 А, 3.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
SI5515CDC-T1-E3 SI5515CDC-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 4 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
ChipFET8
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
На странице: