Сборки MOSFET транзисторов Vishay

94
Производитель: Vishay
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Максимальное напряжение сток-исток
Маскимальный ток стока
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (94)
SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 6.7 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
8-TSSOP
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
6.7 А, 6.1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.6 Вт, 1.7 Вт
SI6913DQ-T1-GE3 SI6913DQ-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 12 В, 4.9 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
8-TSSOP
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
12 В
Маскимальный ток стока:
4.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
830 мВт
SI6926ADQ-T1-E3 SI6926ADQ-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 4.1 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
8-TSSOP
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
4.1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
830 мВт
SI6926ADQ-T1-GE3 SI6926ADQ-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 4.1 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
8-TSSOP
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
4.1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
830 мВт
SI6954ADQ-T1-E3 SI6954ADQ-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 3.1 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
8-TSSOP
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
3.1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
830 мВт
SI6954ADQ-T1-GE3 SI6954ADQ-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 3.1 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
8-TSSOP
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
3.1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
830 мВт
SI6968BEDQ-T1-E3 SI6968BEDQ-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
8-TSSOP
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
5.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1 Вт
SI7216DN-T1-E3 SI7216DN-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 6 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8 Dual
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
стандартный
Максимальное напряжение сток-исток:
40 В
Маскимальный ток стока:
6 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
20.8 Вт
SI7220DN-T1-E3 SI7220DN-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 3.4 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8 Dual
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
60 В
Маскимальный ток стока:
3.4 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.3 Вт
SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 25 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8 Dual
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
25 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
23 Вт
SI7234DP-T1-GE3 SI7234DP-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8 Dual
SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 36.7 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8 Dual
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
100 В
Маскимальный ток стока:
36.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
46 Вт
SI7272DP-T1-GE3 SI7272DP-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 25 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8 Dual
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
25 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
22 Вт
Акция
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 20 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8 Dual
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
стандартный
Максимальное напряжение сток-исток:
40 В
Маскимальный ток стока:
20 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
15.6 Вт
SI7904BDN-T1-E3 SI7904BDN-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 6 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8 Dual
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
6 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
17.8 Вт
SI7922DN-T1-E3 SI7922DN-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 1.8 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8 Dual
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
100 В
Маскимальный ток стока:
1.8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.3 Вт
SI7923DN-T1-E3 SI7923DN-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 4.3 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8 Dual
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
4.3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.3 Вт
SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 60 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8 Dual
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
стандартный
Максимальное напряжение сток-исток:
40 В
Маскимальный ток стока:
60 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
46 Вт
SI7942DP-T1-E3 SI7942DP-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 3.8 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8 Dual
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
100 В
Маскимальный ток стока:
3.8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.4 Вт
SI7949DP-T1-E3 SI7949DP-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 60 В, 3.2 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8 Dual
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
60 В
Маскимальный ток стока:
3.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.5 Вт
На странице: