Сборки MOSFET транзисторов Vishay

93
Производитель: Vishay
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (93)
SI4953ADY-T1-E3 SI4953ADY-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 3.7 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
3.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.1 Вт
SI4963BDY-T1-E3 SI4963BDY-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4.9 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.1 Вт
SI4963BDY-T1-GE3 SI4963BDY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4.9 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.1 Вт
SI5504BDC-T1-E3 SI5504BDC-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 4 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
ChipFET8
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
4 А, 3.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.12 Вт, 3.1 Вт
SI5504BDC-T1-GE3 SI5504BDC-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 4 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
ChipFET8
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
4 А, 3.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.12 Вт, 3.1 Вт
SI5513CDC-T1-E3 SI5513CDC-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 4 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
ChipFET8
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4 А, 3.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
SI5513CDC-T1-GE3 SI5513CDC-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 4 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
ChipFET8
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4 А, 3.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
SI5515CDC-T1-E3 SI5515CDC-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 4 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
ChipFET8
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
SI5517DU-T1-GE3 SI5517DU-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 6 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® ChipFet Dual
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
6 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
8.3 Вт
SI5902BDC-T1-E3 SI5902BDC-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
ChipFET8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
4 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.12 Вт
SI5908DC-T1-E3 SI5908DC-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 4.4 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
ChipFET8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4.4 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.1 Вт
SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 6.7 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
8-TSSOP
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
6.7 А, 6.1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.6 Вт, 1.7 Вт
SI6926ADQ-T1-E3 SI6926ADQ-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 4.1 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
8-TSSOP
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4.1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
830 мВт
SI6926ADQ-T1-GE3 SI6926ADQ-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 4.1 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
8-TSSOP
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4.1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
830 мВт
SI6954ADQ-T1-E3 SI6954ADQ-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 3.1 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
8-TSSOP
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
3.1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
830 мВт
SI6954ADQ-T1-GE3 SI6954ADQ-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 3.1 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
8-TSSOP
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
3.1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
830 мВт
SI6968BEDQ-T1-E3 SI6968BEDQ-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
8-TSSOP
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
5.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1 Вт
SI7216DN-T1-E3 SI7216DN-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 6 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8 Dual
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
стандартный
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Ток стока макс.:
6 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
20.8 Вт
SI7220DN-T1-E3 SI7220DN-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 3.4 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8 Dual
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
3.4 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.3 Вт
SI7272DP-T1-GE3 SI7272DP-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 25 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8 Dual
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
25 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
22 Вт
На странице: