Транзисторы на основе карбида кремния (SiC)

152
Фильтр
Корпус
Транзисторы на основе карбида кремния (SiC) (152)
SCTW35N65G2VAG SCTW35N65G2VAG MOSFET, N-CH, 650V, 45A, 200°C, 240W;
Производитель:
ST Microelectronics
SCTW60N120G2 SCTW60N120G2 MOSFET, SIC, 1.2KV, 60A, HIP247;
Производитель:
ST Microelectronics
SCTW70N120G2V SCTW70N120G2V SIC MOSFET, SINGLE, N-CH, 1.2KV, 91A;
Производитель:
ST Microelectronics
SCTW90N65G2V 650V 119A 24m? 5V 565W HiP-247 Single FETs, MOSFETs RoHS
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
HiP247[тм]
SCTWA35N65G2V SCTWA35N65G2V MOSFET, SIC, 650V, 45A, HIP247;
Производитель:
ST Microelectronics
SCTWA40N120G2V-4 SCTWA40N120G2V-4 MOSFET, SIC, 1.2KV, 45A, HIP247;
Производитель:
ST Microelectronics
SCTWA40N12G24AG SCTWA40N12G24AG SIC MOSFET, N-CHANNEL, 1.2KV/33A, HIP247;
Производитель:
ST Microelectronics
SCTWA60N120G2-4 SCTWA60N120G2-4 MOSFET, SIC, N-CH, 1.2KV, 60A, HIP247;
Производитель:
ST Microelectronics
SCTWA90N65G2V-4 SCTWA90N65G2V-4 MOSFET, SIC, 650V, 119A, HIP247;
Производитель:
ST Microelectronics
TW015Z120C,S1F(S TW015Z120C,S1F(S SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 100A, TO-247;
Производитель:
Toshiba Semiconductor
TW015Z65C,S1F(S TW015Z65C,S1F(S SIC MOSFET, N-CH, 650V, 100A, TO-247;
Производитель:
Toshiba Semiconductor
TW027Z65C,S1F(S TW027Z65C,S1F(S SIC MOSFET, N-CH, 650V, 58A, TO-247;
Производитель:
Toshiba Semiconductor
TW030Z120C,S1F(S TW030Z120C,S1F(S SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 60A, TO-247;
Производитель:
Toshiba Semiconductor
TW045Z120C,S1F(S TW045Z120C,S1F(S SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 40A, TO-247;
Производитель:
Toshiba Semiconductor
TW048Z65C,S1F(S TW048Z65C,S1F(S SIC MOSFET, N-CH, 650V, 40A, TO-247;
Производитель:
Toshiba Semiconductor
TW060Z120C,S1F(S TW060Z120C,S1F(S SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 36A, TO-247;
Производитель:
Toshiba Semiconductor
TW083Z65C,S1F(S TW083Z65C,S1F(S SIC MOSFET, N-CH, 650V, 30A, TO-247;
Производитель:
Toshiba Semiconductor
TW107Z65C,S1F(S TW107Z65C,S1F(S SIC MOSFET, N-CH, 650V, 20A, TO-247;
Производитель:
Toshiba Semiconductor
TW140Z120C,S1F(S TW140Z120C,S1F(S SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 20A, TO-247;
Производитель:
Toshiba Semiconductor
UF3C065030B3 650V 35m? 242W TO-263(D2PAK) Single FETs, MOSFETs RoHS
Производитель:
Qorvo, Inc
На странице:

Цена на Транзисторы на основе карбида кремния (SiC)

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Транзисторы на основе карбида кремния (SiC) в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Транзисторы на основе карбида кремния (SiC) - от 485.88 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Транзисторы на основе карбида кремния (SiC) в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Транзисторы на основе карбида кремния (SiC) в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"