Силовые модули IGBT Infineon Technologies

228
Производитель: Infineon Technologies
Фильтр
Корпус
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер
Ток коллектора
Максимальная мощность
Входная емкость
Силовые модули IGBT (228)
FS100R12KT3BOSA1 FS100R12KT3BOSA1 IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 100A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:480W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transisto
Производитель:
Infineon Technologies
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 14 545,74
FS150R12KE3 FS150R12KE3 Module Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) 1200V 150A FL BRIDGE
Производитель:
Infineon Technologies
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
48 шт
Цена от:
от 22 020,00
FS150R12KE3BOSA1 FS150R12KE3BOSA1 TRANSISTOR, IGBT MODULE, 1.2KV, 200A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:200A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:700W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Tran
Производитель:
Infineon Technologies
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
31 шт
Цена от:
от 18 577,38
FS200R06KE3BOSA1 FS200R06KE3BOSA1 TRANSISTOR, IGBT MODULE, 600V, 200A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:200A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.45V; Power Dissipation Pd:600W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Trans
Производитель:
Infineon Technologies
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 16 502,22
FS200R12KT4RBOSA1 FS200R12KT4RBOSA1 TRANSISTOR, IGBT MODULE, 1.2KV, 280A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:280A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:1kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Tran
Производитель:
Infineon Technologies
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 19 001,76
FS50R07W1E3B11ABOMA1 FS50R07W1E3B11ABOMA1 Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение коллектор-эмиттер:
650В
Ток коллектора:
70А
Максимальная мощность:
205 Вт
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
24 шт
Цена от:
от 6 558,00
-8% Акция
FS75R12KE3BOSA1 FS75R12KE3BOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В 105 А 350 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
ECONOD-3
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
105А
Максимальная мощность:
350 Вт
Наличие:
11 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 14 372,16
FS75R12W2T4BOMA1 FS75R12W2T4BOMA1 Транзистор биполярный IGBT N-канальный 1200В 107A 375Вт 35-Pin EASY2B-1 лоток
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
107А
Максимальная мощность:
375 Вт
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
21 шт
Цена от:
от 6 925,74
-8% Акция
FS820R08A6P2LBBPSA1 FS820R08A6P2LBBPSA1 IGBT модуль 750B 820А 33-Pin HYBRIDD-1
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение коллектор-эмиттер:
750В
Ток коллектора:
450А
Наличие:
3 шт

Внешние склады:
8 шт
Цена от:
от 52 304,88
FZ2400R17HP4_B29 IGBT модуль 1700B, 2400 А, IHM-B
Производитель:
Infineon Technologies
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 шт
Цена от:
от 158 194,02
FZ400R12KE4HOSA1 FZ400R12KE4HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 400A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
62 mm
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
400А
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
16 шт
Цена от:
от 12 438,78
FZ600R17KE4HOSA1 FZ600R17KE4HOSA1 IGBT, SINGLE SWITCH, 1.7KV, 840A, MODULE; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:840A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.95V; Power Dissipation Pd:3.35kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7k
Производитель:
Infineon Technologies
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
140 шт
Цена от:
от 18 696,48
FZ900R12KE4HOSA1 FZ900R12KE4HOSA1 IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 900A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:900A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:4.3kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transis
Производитель:
Infineon Technologies
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
16 шт
Цена от:
от 20 898,66
1SP0335V2M1-65 Драйвер для модуля FZ1000R65KE4
Производитель:
Infineon Technologies
2A100HB12C1U IGBT модуль 1200В 100 А 94*34*30mm, полумост
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
100А
BSM100GB120DN2 Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Infineon Technologies
BSM100GB60DLC Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Infineon Technologies
BSM10GD120DN2BOSA1 BSM10GD120DN2BOSA1
Производитель:
Infineon Technologies
BSM150GB120DN2 Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
62 mm
BSM150GB60DLC Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Infineon Technologies
На странице:

Силовые модули IGBT сочетают в себе несколько IGBT (БТИЗ) транзисторов в различных конфигурациях под конкретные задачи. Такие решения позволяют усилить преимущество IGBT в виде возможности управления очень мощными нагрузками, при этом улучшив охлаждение и упростив монтаж схемы.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке силовые модули IGBT по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют силовые IGBT модули производства  Leapers, Xiner, Hitachi, Infineon, TechSem, Semikron, Mitsubishi и др. У нас на складе в наличии IGBT-модули в конфигурациях Full Bridge Inverter (полномостовой инвертер), Half Bridge (полумост), как однофазные, так и трёхфазные.

Купить силовые IGBT модули лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Силовые модули IGBT Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Силовые модули IGBT Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Силовые модули IGBT Infineon Technologies - от 654.42 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Силовые модули IGBT Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Силовые модули IGBT Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"