IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 266,17
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 261,52
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 103,56
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,48
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 82,72
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
APUG150H12W4LB Полумостовой модуль IGBT 1200В, 150A, 34мм
Производитель:
APEMIC
APUPG40H12E3L-7MB PIM модуль 1200В, 40 А
Производитель:
APEMIC
AUIRG4BC30S-S AUIRG4BC30S-S Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 34A 100Вт D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
34A
Импульсный ток коллектора макс.:
68A
Макс. рассеиваемая мощность:
100W
Переключаемая энергия:
260 µJ (on), 3.45mJ (off)
AUIRGDC0250 AUIRGDC0250 IGBT 1200V 141A 543W TO-220
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SUPER-220[тм] (TO-273AA)
AUIRGP35B60PD AUIRGP35B60PD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 308 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
AUIRGP35B60PD-E AUIRGP35B60PD-E Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 308 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
AUIRGP4062D AUIRGP4062D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
48A
Макс. рассеиваемая мощность:
250W
AUIRGP4063D AUIRGP4063D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
144 А
Макс. рассеиваемая мощность:
330 Вт
Переключаемая энергия:
625 мкДж
-6% Акция
AUIRGP4063D-E AUIRGP4063D-E Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
AUIRGP50B60PD1 AUIRGP50B60PD1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 390 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
390 Вт
Переключаемая энергия:
255 мкДж
AUIRGP50B60PD1E AUIRGP50B60PD1E Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 390 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
390 Вт
Переключаемая энергия:
255 мкДж
AUIRGPS4070D0 AUIRGPS4070D0 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 700В TO-247
Производитель:
Infineon Technologies
AUIRGS30B60K AUIRGS30B60K Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 78 А, 370 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
AUIRGS4062D1 AUIRGS4062D1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 59 А, 246 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
BG450B12LY4-I IGBT модуль, 1200 В, 450А
Производитель:
BYD Semiconductor Company, Ltd
Корпус:
62 mm
BGAD-12C Драйвер для 2MBI1000VXB-170EA-54
Производитель:
Fujitsu Limited
BIDD05N60T BIDD05N60T TRANSISTOR, IGBT, 600V/10A/82W/TO-252;
Производитель:
Bourns Inc.
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 TRANSISTOR, IGBT, 600V/60A/230W/TO-247N;
Производитель:
Bourns Inc.
BIDW20N60T BIDW20N60T TRANSISTOR, IGBT, 600V/40A/192W/TO-247;
Производитель:
Bourns Inc.
BIDW30N60T BIDW30N60T TRANSISTOR, IGBT, 600V/60A/230W/TO-247;
Производитель:
Bourns Inc.
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"