IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 266,17
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 261,52
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 103,56
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,92
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 82,72
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
IRG4BC20KDPBF IRG4BC20KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
16 А
Импульсный ток коллектора макс.:
32 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
340 мкДж
IRG4BC20UD-SPBF IRG4BC20UD-SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 13 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
13 А
Импульсный ток коллектора макс.:
52 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
160 мкДж
IRG4BC20UDPBF IRG4BC20UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 6.5 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
IRG4BC20UPBF IRG4BC20UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 13 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Акция
IRG4BC30FD-SPBF IRG4BC30FD-SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
31 А
Импульсный ток коллектора макс.:
124 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
630 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
67 шт
Цена от:
от 293,32
IRG4BC30FD1PBF IRG4BC30FD1PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
IRG4BC30FPBF IRG4BC30FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
31 А
Импульсный ток коллектора макс.:
124 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
230 мкДж
IRG4BC30KD-SPBF IRG4BC30KD-SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
28 А
Импульсный ток коллектора макс.:
56 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
600 мкДж
IRG4BC30KDSTRLP IRG4BC30KDSTRLP IGBT 600V 28A 100W D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
IRG4BC30SPBF IRG4BC30SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 34 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
34 А
Импульсный ток коллектора макс.:
68 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
260 мкДж
IRG4BC30W-SPBF IRG4BC30W-SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
92 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
130 мкДж
IRG4BC30W-STRLP IRG4BC30W-STRLP Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Акция
IRG4BC40FPBF IRG4BC40FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 49 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
49 А
Импульсный ток коллектора макс.:
196 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
370 мкДж
IRG4BC40UPBF IRG4BC40UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
320 мкДж
IRG4BH20K-LPBF IRG4BH20K-LPBF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 11A 60Вт 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
11A
Импульсный ток коллектора макс.:
22A
Макс. рассеиваемая мощность:
60W
Переключаемая энергия:
450 µJ (on), 440 µJ (off)
IRG4BH20K-SPBF IRG4BH20K-SPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
22 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
450 мкДж
IRG4BH20K-STRLP IRG4BH20K-STRLP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
22 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
450 мкДж
IRG4IBC10UDPBF IRG4IBC10UDPBF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 6.8A 25Вт TO220FP
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
6.8A
Импульсный ток коллектора макс.:
27A
Макс. рассеиваемая мощность:
25W
Переключаемая энергия:
140 µJ (on), 120 µJ (off)
Акция
IRG4IBC20UDPBF IRG4IBC20UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11.4 А, 34 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
11.4 А
Импульсный ток коллектора макс.:
52 А
Макс. рассеиваемая мощность:
34 Вт
Переключаемая энергия:
160 мкДж
IRG4IBC30KDPBF IRG4IBC30KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 17 А, 45 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
17 А
Импульсный ток коллектора макс.:
34 А
Макс. рассеиваемая мощность:
45 Вт
Переключаемая энергия:
600 мкДж
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"