IGBT (БТИЗ) транзисторы

Новинки

Новинка
IGW20N60H3FKSA1
Наличие:
235 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 378,16
Новинка
IKA10N60TXKSA1
Наличие:
146 шт
Под заказ:
1 420 шт
Цена от: 121,34
Новинка
IKZA75N65SS5XKSA1
Наличие:
17 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 1 990,95
Новинка
DG50Q12T2
Наличие:
20 шт
Под заказ:
580 шт
Цена от: 562,49
Новинка
DG40X12T2
Наличие:
32 шт
Под заказ:
3 248 шт
Цена от: 341,50
Новинка
STGF15H60DF
Наличие:
189 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 93,03
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
(1228)
Акция STGD14NC60KT4 Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 25 А Макс. рассеиваемая мощность: 80 Вт Переключаемая энергия: 82 мкДж
STGD18N40LZT4 Биполярный транзистор IGBT, 375 В, 30 А, 150 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Макс. напр. коллектор-эмиттер: 420 В Макс. ток коллектора: 25 А Импульсный ток коллектора макс.: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 125 Вт
STGD3HF60HDT4 IGBT 600V 7.5A 38W DPAK Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 7.5A Импульсный ток коллектора макс.: 18A Макс. рассеиваемая мощность: 38W Переключаемая энергия: 19 µJ (on), 12 µJ (off)
STGD5NB120SZ-1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5 А, 55 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 10 А Импульсный ток коллектора макс.: 10 А Макс. рассеиваемая мощность: 75 Вт Переключаемая энергия: 2.59 мДж
STGD5NB120SZT4 IGBT 1200V 10A 75W DPAK Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 10A Импульсный ток коллектора макс.: 10A Макс. рассеиваемая мощность: 75W Переключаемая энергия: 2.59mJ (on), 9mJ (off)
STGD7NB60ST4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 15 А, 55 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 15 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 55 Вт Переключаемая энергия: 3.5 мДж
STGD7NC60HT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 25 А, 70 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 25 А Импульсный ток коллектора макс.: 50 А Макс. рассеиваемая мощность: 70 Вт Переключаемая энергия: 95 мкДж
STGD8NC60KDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 15 А, 62 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 15 А Импульсный ток коллектора макс.: 30 А Макс. рассеиваемая мощность: 62 Вт Переключаемая энергия: 55 мкДж
STGE200NB60S Биполярный транзистор IGBT, 600 B, 200 А, 600 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-227 Конфигурация: Однофазный Напряжение коллектор-эмиттер: 600В Ток коллектора: 200А Максимальная мощность: 600 Вт Входная емкость: 1.56 нФ Наличие термистора: нет
STGF10H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 30 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 30 Вт Переключаемая энергия: 83 мкДж
STGF10NB60SD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 25 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 23 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 25 Вт Переключаемая энергия: 600 мкДж
STGF15M65DF2 Производитель: ST Microelectronics
Акция STGF19NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 7 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 14 А Макс. рассеиваемая мощность: 32 Вт Переключаемая энергия: 81 мкДж
STGF20H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 37 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 37 Вт Переключаемая энергия: 209 мкДж
STGF20NB60S Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 13 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 24 А Импульсный ток коллектора макс.: 70 А Макс. рассеиваемая мощность: 40 Вт Переключаемая энергия: 840 мкДж
STGF7H60DF Производитель: ST Microelectronics
STGF7NB60SL Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 15 А, 25 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 15 А Импульсный ток коллектора макс.: 20 А Макс. рассеиваемая мощность: 25 Вт Переключаемая энергия: 4.1 мДж
Акция STGF7NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 25 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 10 А Импульсный ток коллектора макс.: 50 А Макс. рассеиваемая мощность: 25 Вт Переключаемая энергия: 95 мкДж
STGIB15CH60TS-L SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs Производитель: ST Microelectronics Корпус: SDIP28
STGP10H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 115 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 115 Вт Переключаемая энергия: 83 мкДж
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"