IGBT (БТИЗ) транзисторы

Новинки

Новинка
IGW20N60H3FKSA1
Наличие:
235 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 378,16
Новинка
IKA10N60TXKSA1
Наличие:
146 шт
Под заказ:
1 420 шт
Цена от: 119,98
Новинка
IKZA75N65SS5XKSA1
Наличие:
17 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 2 011,90
Новинка
DG50Q12T2
Наличие:
20 шт
Под заказ:
580 шт
Цена от: 562,49
Новинка
DG40X12T2
Наличие:
32 шт
Под заказ:
3 248 шт
Цена от: 331,20
Новинка
STGF15H60DF
Наличие:
189 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 94,01
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
(1225)
STGP19NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 22 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 125 Вт Переключаемая энергия: 81 мкДж
STGP20V60DF IGBT 600V 40A 167W TO220AB Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 40A Импульсный ток коллектора макс.: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 167W Переключаемая энергия: 200 µJ (on), 130 µJ (off)
STGP20V60F Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 167 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 167 Вт Переключаемая энергия: 200 мкДж
Акция STGP30NC60W Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 305 мкДж
STGP30V60DF IGBT 600V 60A 258W TO220AB Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 60A Импульсный ток коллектора макс.: 120A Макс. рассеиваемая мощность: 258W Переключаемая энергия: 383 µJ (on), 233 µJ (off)
Акция STGP30V60F Биполярный транзистор IGBT, 30 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 260 Вт Переключаемая энергия: 383 мкДж
STGP3HF60HD Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 7.5A 38 Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB
STGP40V60F Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 283 Вт Переключаемая энергия: 456 мкДж
STGP5H60DF Производитель: ST Microelectronics
Акция STGPL6NC60D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 6 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 14 А Импульсный ток коллектора макс.: 18 А Макс. рассеиваемая мощность: 56 Вт Переключаемая энергия: 46.5 мкДж
STGW15H120DF2 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 15 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 30 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 259 Вт Переключаемая энергия: 380 мкДж
STGW20H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 167 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 167 Вт Переключаемая энергия: 209 мкДж
Новинка STGW20IH125DF IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1250V Макс. ток коллектора: 40A Импульсный ток коллектора макс.: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 259W Переключаемая энергия: 410 µJ (off)
Акция STGW20V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 167 Вт Переключаемая энергия: 200 мкДж
STGW25H120DF2 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 25 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 100 А Макс. рассеиваемая мощность: 375 Вт Переключаемая энергия: 600 мкДж
STGW25H120F2 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 25 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 100 А Макс. рассеиваемая мощность: 375 Вт Переключаемая энергия: 600 мкДж
STGW28IH125DF IGBT 1250V 60A 375W TO-247 Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1250V Макс. ток коллектора: 60A Импульсный ток коллектора макс.: 120A Макс. рассеиваемая мощность: 375W Переключаемая энергия: 720 µJ (off)
Акция STGW30N120KD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247
STGW30NC120HD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 220 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 220 Вт Переключаемая энергия: 1.66 мДж
STGW30NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 125 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 350 мкДж
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"