Новое поступление одиночных IGBT транзисторов от Infineon Technologies
Германская корпорация Infineon Technologies входит в число лидеров по производству полупроводниковой электроники в мире. Она была создана в 1999 г. путём выхода из состава Siemens AG, что позволило ей унаследовать богатейший опыт и большой портфель наработок и патентов в сфере силовой электроники. За счёт сделок по слиянию и поглощению Infineon значительно расширила свой ассортимент продукции и в настоящее время предлагает:
- Микроконтроллеры (линейки бывшей Freescale);
- Диоды;
- Транзисторы MOSFET, IGBT;
- Датчики тока;
- Драйверы для транзисторов;
- Твердотельные реле и многое другое.
На склад "Промэлектроники" поступила новая партия одиночных IGBT от Infineon. Этот тип транзисторов фактически представляет собой сдвоенный транзистор с управляющим переходом (изолированным затвором), своего рода MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция даёт ряд преимуществ:
- управление по напряжению, а не по току;
- низкая мощность сигнала управления;
- высокое входное сопротивление;
- зависимость сопротивления открытого канала от величины силы тока, а не от квадрата величины силы тока.
Типовое применение IGBT-транзисторов и модулей — цепи с частотой до 50 кГц, током в десятки ампер и напряжением более 500 В — к примеру, электродвигатели.
Новая партия IGBT-транзисторов Infineon приведена в таблице ниже. Прочие модели IGBT от Infineron в нашем каталоге.
IGW60T120FKSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 375 Вт
IKW25N120H3FKSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт
IKW25N120T2FKSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт
IHW30N160R5XKSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт
IKW75N65EH5XKSA1
Биполярный транзистор IGBT, 650В 90А 395Вт [TO-247]
IKW75N60TFKSA1
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 428 Вт
IKW50N60TFKSA1
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт
IHW20N120R3FKSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 310 Вт
IHW20N135R5XKSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1350 В, 40 А, 288 Вт