IKW75N60TFKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 428 Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
IGBT 600V 80A 428W TO247-3
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 428 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 428 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IKW75N60TFKSA1
Документы:
Описание IKW75N60TFKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 16.03мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | Infineon |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 600 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 80 А |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Максимальное рассеяние мощности | 428 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
| Ширина | 21.1мм |
| Высота | 5.16мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 16.03 x 21.1 x 5.16мм |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Вес, г | 7.5 |
Сообщите мне о поступлении товара