IKW25N120T2FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
IGBT 1200V 50A 349W
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IKW25N120T2FKSA1
Документы:
Описание IKW25N120T2FKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 16.13мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | Infineon |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 1200 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 50 A |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Максимальное рассеяние мощности | 349 Вт |
| Energy Rating | 4.3mJ |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
| Ширина | 5.21мм |
| Высота | 21.1мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 16.13 x 5.21 x 21.1мм |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Тип канала | N |
| Емкость затвора | 1600пФ |
| Вес, г | 7.5 |
Сообщите мне о поступлении товара