IKW25N120T2FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт
Код товара: 146520
Дата обновления: 01.08.2021 19:10
Цена от: 422,19 руб.
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка IKW25N120T2FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    PG-TO247-3
  • Тип упаковки
    Tube (туба)
  • Нормоупаковка
    30 шт.
  • Вес брутто
    7.8 г.
  • Макс. напр. коллектор-эмиттер
  • Макс. ток коллектора
  • Импульсный ток коллектора макс.
  • Макс. рассеиваемая мощность
  • Переключаемая энергия

Описание IKW25N120T2FKSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

Максимальная рабочая температура+175 °C
Длина16.13мм
Transistor ConfigurationОдинарный
ПроизводительInfineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора50 A
Тип корпусаTO-247
Максимальное рассеяние мощности349 Вт
Energy Rating4.3mJ
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура-40 °C
Ширина5.21мм
Высота21.1мм
Число контактов3
Размеры16.13 x 5.21 x 21.1мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер±20V
Тип каналаN
Емкость затвора1600пФ
Вес, г7.5