FGA40N65SMD, Транзистор IGBT одиночный
Цена от:
179,96 руб.
Внешние склады
-
40+ 58+ 116+ 578+219,77 ₽ 189,52 ₽ 184,74 ₽ 179,96 ₽Срок:25 днейНаличие:1 104Минимум:Мин: 40Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FGA40N65SMD
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | FGA40N65SMD |
| Упаковка / блок | TO-3PN |
| Вес изделия | 6.401 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Pd - рассеивание мощности | 349 W |
| Технология | Si |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FGA40N65SMD
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2175 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара