FGB40T65SPD-F085, Транзистор IGBT одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FGB40T65SPD-F085
Производитель:
Описание Eng:
IGBT, AEC-Q101, N-CH, 650V, 80A, TO263AB; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Power Dissipation Pd:267W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-263AB; No.
Нормоупаковка:
800 шт
Цена от:
434,25 руб.
Внешние склады
-
17+ 24+ 48+ 240+530,32 ₽ 457,31 ₽ 445,78 ₽ 434,25 ₽Срок:25 днейНаличие:800Минимум:Мин: 17Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FGB40T65SPD-F085
| Серия | FGB40T65SPD |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 1.312 g |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 267 W |
| Конфигурация | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.9 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 80 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 400 nA |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FGB40T65SPD-F085
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 138 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2175 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара