FGH50T65SQD-F155, Транзистор IGBT одиночный
Цена от:
180,67 руб.
Внешние склады
-
40+ 58+ 116+ 576+220,63 ₽ 190,26 ₽ 185,46 ₽ 180,67 ₽Срок:25 днейНаличие:600Минимум:Мин: 40Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FGH50T65SQD-F155
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | FGH50T65SQD |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Вес изделия | 6.390 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Pd - рассеивание мощности | 268 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 100 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 400 nA |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 100 A |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FGH50T65SQD-F155
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 137 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара