STGW8M120DF3, Транзистор IGBT одиночный

Код товара: 1031169

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
STGW8M120DF3
Производитель:
Описание Eng:
IGBT, SINGLE, 1200V, 16A, TO-247-3; DC Collector Current:16A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:167W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247; No. of
Нормоупаковка:
30 шт

Описание STGW8M120DF3

Упаковка / блокTO-247-3
СерияSTGW8M120DF3
Вес изделия6 g
ECCNEAR99
УпаковкаTube
Вид монтажаThrough Hole
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
КонфигурацияSingle
Pd - рассеивание мощности167 W
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.85 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C16 A
Ток утечки затвор-эмиттер250 uA

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка STGW8M120DF3 в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 1174
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.