STGWA60H65DFB, Транзистор IGBT одиночный
Цена от:
223,51 руб.
Внешние склады
-
34+ 50+ 99+265,90 ₽ 229,29 ₽ 223,51 ₽Срок:25 днейНаличие:480Минимум:Мин: 34Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STGWA60H65DFB
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Серия | STGWA60H65DFB |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 38 g |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Tube |
| Длина | 20.15 mm |
| Ширина | 15.75 mm |
| Высота | 5.15 mm |
| Диапазон рабочих температур | 55 C to + 175 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 375 W |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 80 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 80 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STGWA60H65DFB
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара