STGWT60H65DFB, Транзистор IGBT одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STGWT60H65DFB
Производитель:
Описание Eng:
IGBT, 650V, 80A, 175°C, 375W;
Нормоупаковка:
300 шт
Цена от:
347,23 руб.
Нет в наличии
Описание STGWT60H65DFB
| Упаковка / блок | TO-3P |
|---|---|
| Серия | STGWT60H65DFB |
| Вес изделия | 6.756 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 375 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 60 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STGWT60H65DFB
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара