MJD112T4, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт

Код товара: 103820

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
MJD112T4
Производитель:
Описание Eng:
NPN Darlington 100V 2A
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
В упаковке:
2500 шт
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
20 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Показать аналоги

Технические параметры

Тип транзистора

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.

100 В

Ток коллектора Макс.

2 А

Мощность Макс.

20 Вт

Коэффициент усиления hFE

1000

Тип монтажа

Поверхностный

Граничная частота

25 МГц

Корпус

DPAK/TO-252AA

Вес брутто

0.54 г.

Описание MJD112T4

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

MJD112T4G Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor
Наличие:
2 478 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 38,96
MJD112G Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20Вт Производитель: ON Semiconductor
Наличие:
65 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 43,02
MJD112RLG Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка MJD112T4 , Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 258
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157
EMS
от 1 раб. дня
от 1216
Почта России
от 1 раб. дня
от 407
СДЭК
от 2 раб. дней
от 217
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.