MJD112G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
MJD112G
Производитель:
Описание Eng:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Тип упаковки:
Tube (туба)
В упаковке:
75 шт
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Цена от:
45,00 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 33+ 75+ 150+ 300+60,73 ₽ 55,36 ₽ 51,10 ₽ 47,61 ₽ 45,00 ₽Срок:В наличииНаличие:63Минимум:5Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание MJD112G
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20Вт
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
Наличие:
2 478 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 41,01₽
Наличие:
544 шт
Под заказ:
1 450 шт
Цена от:
от 30,34₽
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка MJD112G , Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2180 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара