MJD112T4G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А

Код товара: 219125

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
MJD112T4G
Производитель:
Описание Eng:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Показать аналоги

Технические параметры

Тип транзистора

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.

100 В

Ток коллектора Макс.

2 А

Мощность Макс.

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE

1000

Тип монтажа

Поверхностный

Граничная частота

25 МГц

Корпус

DPAK/TO-252AA

Вес брутто

0.45 г.

Описание MJD112T4G

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

MJD112T4 Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт Производитель: ST Microelectronics
Наличие:
679 шт

Под заказ:
2 000 шт
Цена от:
от 29,88
MJD112G Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20Вт Производитель: ON Semiconductor
Наличие:
80 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 43,56
MJD112RLG Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor

Способы доставки в Калининград

Доставка MJD112T4G , Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 345
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2304
EMS
от 5 раб. дней
от 1548
Почта России
от 12 раб. дней
от 720
СДЭК
от 3 раб. дней
от 743
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.