8 800 1000 321 - контакт центр

MJD112T4G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А

  • MJD112T4G

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А

Документация

DataSheet
Код товара: 219125
Дата обновления: 25.04.2018 22:30
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
Нет в наличии
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Удаленные склады
от 1 061 шт: 15.710 руб.
от 268 шт: 16.130 руб.
от 27 шт: 16.830 руб.
2 308 шт.3 дн.1 шт.27 шт.
от 2 500 шт: 16.184 руб.
5 000 шт.10 дн.2 500 шт.2 500 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
DPAK/TO252
Нормоупаковка
2500 шт.
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Тип транзистора
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
100 В
Ток коллектора Макс.
2 А
Мощность Макс.
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE
1000
Граничная частота
25 МГц
Напряжение насыщения КЭ
3 В
Тип монтажа
Поверхностный

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
7308 шт.

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
MJD112G
ONSDPAK/TO25214.816015.391061
MJD112T4
STMDPAK/TO25211.77243510.1847708

Поделиться:
сообщение об ошибке