8 800 1000 321 - контакт центр

MJD112T4G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А

  • MJD112T4G

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А

Документация

DataSheet
Код товара: 219125
Дата обновления: 18.08.2018 08:30
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
Нет в наличии
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 2 260 шт: 37.037 руб.
от 452 шт: 37.710 руб.
от 113 шт: 38.719 руб.
от 12 шт: 40.402 руб.
2 308 шт.3 дн.1 шт.12 шт.
от 7 500 шт: 14.038 руб.
от 2 500 шт: 14.293 руб.
10 000 шт.15 дн.2 500 шт.2 500 шт.
от 7 500 шт: 15.698 руб.
от 2 500 шт: 15.983 руб.
20 000 шт.28 дн.2 500 шт.2 500 шт.
Показать еще 1 предложений
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
DPAK/TO252
Нормоупаковка
2500 шт.
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Тип транзистора
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
100 В
Ток коллектора Макс.
2 А
Мощность Макс.
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE
1000
Граничная частота
25 МГц
Напряжение насыщения КЭ
3 В
Тип монтажа
Поверхностный

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
34808 шт.

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
MJD112G
ONSDPAK/TO25215.244713.1410059
MJD112RLG
ONSDPAK-30.00013.547200
MJD112T4
STMDPAK/TO25215.22433911.8723059

Поделиться:
сообщение об ошибке