8 800 1000 321 - контакт центр

MJD112T4G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А   

MJD112T4G

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А

Документация

DataSheet
Код товара: 219125
Дата обновления: 24.09.2017 17:00
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Удаленные склады
Склад №512.03 руб.47500 шт.15 дн.2500 шт.2500 шт.
Склад №311.20 руб.2500 шт.10 дн.2500 шт.2500 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
DPAK/TO252
Нормоупаковка
2500 шт.
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Тип транзистора
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
100 В
Ток коллектора Макс.
2 А
Мощность Макс.
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE
1000
Граничная частота
25 МГц
Напряжение насыщения КЭ
3 В
Тип монтажа
Поверхностный

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
MJD112G
ONSDPAK/TO25215.3416514.181901
MJD112RLG
ONSDPAK-30.00012.377200
MJD112T4
STMDPAK/TO25210.9825009.7217695

Поделиться:
сообщение об ошибке