MJD112T4G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
MJD112T4G
Документы:
Технические параметры
-
КорпусDPAK-3
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка2500 шт
-
Вес брутто0.45 г.
-
Тип транзистора
-
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
-
Ток коллектора Макс.
-
Мощность Макс.
-
Коэффициент усиления hFE
-
Тип монтажа
Полные аналоги
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара