STGWT20H65FB, Транзистор IGBT одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STGWT20H65FB
Описание Eng:
IGBT, SINGLE, 650V, 40A, TO-3P; DC Collector Current:40A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.55V; Power Dissipation Pd:168W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-3P; No. of Pins:3
В упаковке:
30 шт
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
330,70 ₽
Нет в наличии
Технические параметры
Описание STGWT20H65FB
| Технология | Si |
|---|---|
| Серия | STGWT20H65FB |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 6.756 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-3P |
| Конфигурация | Single |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.55 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
| Pd - рассеивание мощности | 168 W |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 20 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STGWT20H65FB
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 255 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 2 раб. дней
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара