BS108ZL1G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.25А 0.35Вт

Код товара: 120207

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
BS108ZL1G
Производитель:
Описание Eng:
N-VMOS 200V 0,25A 0,35W 8 Ом
Тип упаковки:
Amunition Pack (лента в коробке)
Нормоупаковка:
2000 шт
Корпус:
TO92/formed lead
Статус:
Obsolete
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
250мА
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

200В

Ток стока макс.

250мА

Сопротивление открытого канала

8 Ом

Мощность макс.

350мВт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

1.5В

Входная емкость

150пФ

Тип монтажа

Through Hole

Корпус

TO92/formed lead

Вес брутто

0.5 г.

Описание BS108ZL1G

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)8 ом при 0.1a, 2.8в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.35
Крутизна характеристики, S0.33
Корпусto92
Особенностивысоковольтный драйвер
Пороговое напряжение на затворе1.5
Вес, г0.3

Полезная информация
Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка BS108ZL1G , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.25А 0.35Вт в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.