BS108ZL1G, Транзистор полевой N-канальный 200В 0.25А 0.35Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
N-VMOS 200V 0,25A 0,35W 8 Ом
Транзистор полевой N-канальный 200В 0.25А 0.35Вт
Транзистор полевой N-канальный 200В 0.25А 0.35Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
BS108ZL1G
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO92/formed lead
-
Тип упаковкиAmunition Pack (лента в коробке)
-
Нормоупаковка2000 шт
-
Вес брутто0.5 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание BS108ZL1G
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8 ом при 0.1a, 2.8в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 |
| Крутизна характеристики, S | 0.33 |
| Корпус | to92 |
| Особенности | высоковольтный драйвер |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5 |
| Вес, г | 0.3 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара