8 800 1000 321 - контакт центр

BS108ZL1G, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 0.25 А, 0.35 Вт

Obsolete
  • BS108ZL1G - TO-92-3

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

N-VMOS 200V 0,25A 0,35W 8 Ом

Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 0.25 А, 0.35 Вт

Документация

DataSheet
Справочная информация
Код товара: 120207
Дата обновления: 24.02.2019 03:30
Цена за 1шт: 206.75 руб.
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 66 шт: 156.030 руб.
от 33 шт: 163.040 руб.
от 17 шт: 172.960 руб.
от 9 шт: 189.850 руб.
от 1 шт: 206.750 руб.
1 779 штНа складе1 шт.2 шт.
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 3 379 шт: 121.302 руб.
от 676 шт: 123.507 руб.
от 136 шт: 125.712 руб.
от 34 шт: 129.019 руб.
от 4 шт: 134.532 руб.
4 000 шт.7 раб. дн.1 шт.4 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Нормоупаковка
2000 шт.
Тип упаковки
Amunition Pack (лента в коробке)
Вес нетто
0.5 г
Напряжение исток-сток макс.
200V
Ток стока макс.
250mA (Ta)
Сопротивление открытого канала
8 Ohm @ 100mA, 2.8V
Мощность макс.
350mW
Тип транзистора
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Особенности
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.
1.5V @ 1mA
Входная емкость
150pF @ 25V
Тип монтажа
Through Hole

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
49 шт.
Интернет-магазин
5779 шт.

Поделиться:
сообщение об ошибке