FQPF3N80C, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.8А 39Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FQPF3N80C
Производитель:
Описание Eng:
N-MOS+D 800V, 1.8A, 39W
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
4.8 Ом
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
64,01 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 10+ 19+ 37+ 100+71,67 ₽ 70,54 ₽ 69,09 ₽ 67,07 ₽ 64,01 ₽Срок:В наличииНаличие:322Минимум:5Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 10+ 19+ 37+ 100+71,67 ₽ 70,54 ₽ 69,09 ₽ 67,07 ₽ 64,01 ₽Срок:В наличииНаличие:79Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
8+ 31+ 100+188,35 ₽ 179,38 ₽ 176,39 ₽Срок:7 днейНаличие:100Минимум:Мин: 8Количество в заказ
-
8+187,41 ₽Срок:7 днейНаличие:10Минимум:Мин: 8Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание FQPF3N80C
The FQPF3N80C is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
• Low gate charge (13nC)
• Low Crss (5.5pF)
• 100% avalanche tested
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 3 A |
| Тип корпуса | TO-220F |
| Максимальное рассеяние мощности | 39 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 4.7 |
| Высота | 9.19мм |
| Размеры | 10.16 x 4.7 x 9.19мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.16мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 15 нс |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 22,5 нс |
| Серия | QFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 4.8 Ω |
| Максимальное напряжение сток-исток | 800 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 13 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 543 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
| Вес, г | 2 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FQPF3N80C , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.8А 39Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара