FQP6N80C, Транзистор полевой N-канальный 800В 5.5А 2.5 Ом, 158Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Транзистор полевой N-канальный 800В 5.5А 2.5 Ом, 158Вт
Транзистор полевой N-канальный 800В 5.5А 2.5 Ом, 158Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FQP6N80C
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт
-
Вес брутто2.84 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FQP6N80C
The FQP6N80C is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
• Low gate charge (21nC)
• Low Crss (8pF)
• 100% Avalanche tested
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 5.5 A |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Максимальное рассеяние мощности | 158 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 4.7 |
| Высота | 9.4мм |
| Размеры | 10.1 x 4.7 x 9.4мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.1мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 26 ns |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 47 ns |
| Серия | QFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 2.5 Ω |
| Максимальное напряжение сток-исток | 800 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1010 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
| Вес, г | 2.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара