FQPF3N80C, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.8А 39Вт

Код товара: 124567

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FQPF3N80C
Производитель:
Описание Eng:
N-MOS+D 800V, 1.8A, 39W
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
4.8 Ом
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

800В

Ток стока макс.

3A

Сопротивление открытого канала

4.8 Ом

Мощность макс.

39Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

16.5нКл

Входная емкость

705пФ

Тип монтажа

Through Hole

Вес брутто

2.9 г.

Описание FQPF3N80C

The FQPF3N80C is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• Low gate charge (13nC)
• Low Crss (5.5pF)
• 100% avalanche tested

Максимальная рабочая температура+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока3 A
Тип корпусаTO-220F
Максимальное рассеяние мощности39 Вт
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Ширина4.7
Высота9.19мм
Размеры10.16 x 4.7 x 9.19мм
Материал транзистораКремний
Количество элементов на ИС1
Длина10.16мм
Transistor ConfigurationОдинарный
Типичное время задержки включения15 нс
ПроизводительON Semiconductor
Типичное время задержки выключения22,5 нс
СерияQFET
Минимальная рабочая температура-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage3V
Максимальное сопротивление сток-исток4.8 Ω
Максимальное напряжение сток-исток800 В
Число контактов3
КатегорияМощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs13 нКл при 10 В
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds543 пФ при 25 В
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-30 V, +30 V
Вес, г2

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка FQPF3N80C , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.8А 39Вт в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.