FDN302P, Транзистор полевой P-канальный 20В 2.4А 0.08 Ом, 0.5Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Транзистор полевой P-канальный 20В 2.4А 0.08 Ом, 0.5Вт
Технические параметры
-
КорпусSOT-23 (SuperSOT-3)
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт
-
Вес брутто0.03 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FDN302P
The FDN302P is a -20V P-channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.
• High performance trench technology for extremely low RDS (on)
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 2.4 A |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Максимальное рассеяние мощности | 500 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 1.4мм |
| Высота | 0.94мм |
| Размеры | 2.92 x 1.4 x 0.94мм |
| Материал транзистора | SI |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 2.92мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 13 ns |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 25 нс |
| Серия | PowerTrench |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.6V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 55 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 20 V |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 9 nC @ 4.5 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 882 пФ при 10 В |
| Тип канала | P |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -12 В, +12 В |
| Вес, г | 0.05 |
