Одиночные MOSFET транзисторы

22
Ток стока макс.: 2.4A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (22)
-8% Акция
FDN302P FDN302P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4А 0.08 Ом, 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
882пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 561 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 8,94
-7%
IRFR420TRPBF IRFR420TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.4А 42Вт, 3.0 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 288 шт

Внешние склады:
8 138 шт
Аналоги:
4 700 шт
Цена от:
от 31,74
Акция
IRLMS6702TRPBF IRLMS6702TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro6 (SOT23 6L)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
8.8нКл
Входная емкость:
210пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
948 шт

Внешние склады:
3 830 шт
Цена от:
от 3,84
STD3NK60ZT4 STD3NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.4А 45Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
11.8нКл
Входная емкость:
311пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 876 шт

Внешние склады:
17 700 шт
Цена от:
от 26,34
-8% Акция
STN2NF10 STN2NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.4А 0.23 Ом, 3.3Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
260 мОм
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 179 шт

Внешние склады:
4 589 шт
Цена от:
от 18,24
FDN304P FDN304P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1312пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 800 шт
Цена от:
от 11,70
IRFR420PBF IRFR420PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.4А 42Вт, 3.0 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 700 шт
Аналоги:
9 426 шт
Цена от:
от 46,56
IRFU420PBF IRFU420PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.4А 42Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
360пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
32 000 шт
Цена от:
от 51,96
PMXB120EPEZ PMXB120EPEZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.4A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
3-DFN (1.1x1)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
309пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 21,78
STD3NK60Z-1 STD3NK60Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.4A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
11.8нКл
Входная емкость:
311пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 200 шт
Цена от:
от 22,20
STP3NK60ZFP STP3NK60ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.4A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
20Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
11.8нКл
Входная емкость:
311пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
248 шт
Цена от:
от 68,64
FDN304PZ FDN304PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD3N60CTM_WS FQD3N60CTM_WS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
3.4 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
565пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPB65R150CFDAATMA1 IPB65R150CFDAATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22.4A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
2.4A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
IPP65R150CFDXKSA1 IPP65R150CFDXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22.4A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
2.4A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R150CFDFKSA1 IPW65R150CFDFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22.4A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
2.4A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Through Hole
IRF7501TR IRF7501TR Транзистор полевой 2N-канальный 20В 2.4A MICRO8
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro8[тм]
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.4A
Тип транзистора:
2N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFD020PBF IRFD020PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 2.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFR420TRLPBF IRFR420TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.4А 42Вт, 3.0 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
14 126 шт
Цена от:
от 31,74
IRLMS5703TRPBF IRLMS5703TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.4A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro6[тм](TSOP-6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"