Одиночные MOSFET транзисторы

₃₀

Мощность макс.: 460мВт

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3376)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1872)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (30)

-8% Акция

FDN302P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4А 0.08 Ом, 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.4A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

882пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 561 шт

Внешние склады:

5 000 шт

Цена от:

от 8,94₽

-8% Акция

FDN306P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2,6А 0.04 Ом, 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

1138пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

875 шт

Внешние склады:

3 834 шт

Цена от:

от 11,34₽

-8% Акция

FDN327N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2А 0.07 Ом, 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

70 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

6.3нКл

Входная емкость:

423пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

473 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 7,38₽

FDN335N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.7А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

70 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

3 171 шт

Внешние склады:

8 464 шт

Цена от:

от 8,76₽

FDN337N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2,2А 0.054 Ом, 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

65 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

9нКл

Входная емкость:

300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

3 033 шт

Внешние склады:

12 771 шт

Цена от:

от 6,90₽

-8% Акция

FDN357N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.9А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.9A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

5.9нКл

Входная емкость:

235пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 046 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 5,28₽

FDN358P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.5А 0.5Вт, 0.06 Ом

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.5A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

5.6нКл

Входная емкость:

182пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

103 шт

Внешние склады:

3 850 шт

Цена от:

от 18,90₽

-8% Акция

FDN360P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2А 0.08 Ом, 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

80 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

9нКл

Входная емкость:

298пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

828 шт

Внешние склады:

8 919 шт

Цена от:

от 8,28₽

FDN5618P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.25А 0.17 Ом, 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.25A

Сопротивление открытого канала:

170 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

13.8нКл

Входная емкость:

430пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

8 614 шт

Внешние склады:

15 686 шт

Аналоги:

8 571 шт

Цена от:

от 6,60₽

-8% Акция

NDS331N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.3А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (SUPERSOT-23)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.3A

Сопротивление открытого канала:

160 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

162пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 190 шт

Внешние склады:

12 608 шт

Цена от:

от 8,10₽

-8% Акция

NDS332P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

300 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

195пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 585 шт

Внешние склады:

3 104 шт

Цена от:

от 12,06₽

-8% Акция

NDS355AN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.7А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

85 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

195пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

517 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 15,42₽

FDN304P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.4A

Сопротивление открытого канала:

52 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

1312пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

4 800 шт

Цена от:

от 11,70₽

FDN308P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.5A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

5.4нКл

Входная емкость:

341пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 66,18₽

FDN336P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.3A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

330пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

5 677 шт

Цена от:

от 10,14₽

FDN338P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.6А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

115 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

6.2нКл

Входная емкость:

451пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

4 116 шт

Аналоги:

7 176 шт

Цена от:

от 14,94₽

FDN340P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2А 0,5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

70 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

779пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

6 884 шт

Цена от:

от 9,84₽

FDN352AP Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.3А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.3A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

1.9нКл

Входная емкость:

150пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 8,34₽

FDN359AN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.7A

Сопротивление открытого канала:

46 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

7нКл

Входная емкость:

480пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 10,50₽

FDN5630 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

7 227 шт

Аналоги:

26 852 шт

Цена от:

от 10,14₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"