IRFB11N50APBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11А 170Вт
Наименование:
IRFB11N50APBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
520 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
91,62 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 16+ 32+ 100+ 150+118,50 ₽ 109,32 ₽ 102,06 ₽ 96,06 ₽ 91,62 ₽Срок:В наличииНаличие:296Минимум:3Количество в заказ
-
1+ 16+ 32+ 100+ 150+118,50 ₽ 109,32 ₽ 102,06 ₽ 96,06 ₽ 91,62 ₽Срок:В наличииНаличие:1Минимум:1Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 16+ 32+ 100+ 150+118,50 ₽ 109,32 ₽ 102,06 ₽ 96,06 ₽ 91,62 ₽Срок:В наличииНаличие:32Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
129+ 800+123,30 ₽ 120,18 ₽Срок:26 днейНаличие:800Минимум:Мин: 129Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRFB11N50APBF
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.52 ом при 6.6a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 170 |
| Крутизна характеристики, S | 6.1 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Вес, г | 2.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка IRFB11N50APBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11А 170Вт
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 345 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2304 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 743 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара