Одиночные MOSFET транзисторы

85
Ток стока макс.: 11A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (85)
FDD6685 FDD6685 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
1715пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
386 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 61,79
-6% Акция
FDS6690A FDS6690A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
12.5 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
1205пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 446 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 25,17
FQPF11N50CF FQPF11N50CF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
55нКл
Входная емкость:
2055пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
211 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 41,09
IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4030пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 580 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 44,14
-6% Акция
IRF7807ZTRPBF IRF7807ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
13.8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.25В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
203 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 21,61
Акция
IRF8707TRPBF IRF8707TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A 8-SOIC, 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
11.9 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
9.3нКл
Входная емкость:
760пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 636 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 19,31
IRF9640PBF IRF9640PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт, 0.5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 962 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 65,17
-6% Акция
IRF9Z24PBF IRF9Z24PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11А 60Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
131 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 59,61
-6% Акция
IRF9Z24STRLPBF IRF9Z24STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
146 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 18,58
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11А 170Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
520 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1423пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
313 шт

Внешние склады:
9 шт
Цена от:
от 97,26
IRFH5406TRPBF IRFH5406TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN 5x6 mm
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
14.4 мОм
Мощность макс.:
3.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1256пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
656 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 128,66
IRFHM9331TRPBF IRFHM9331TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный -30В -11A 2.8Вт защитный диод PQFN33
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN (3x3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1543пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 936 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 36,66
-6% Акция
IRFPC50PBF IRFPC50PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 180Вт, 0.6 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
2700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
60 шт

Внешние склады:
540 шт
Цена от:
от 213,57
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11А 38Вт, 0.175 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
175 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 251 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Аналоги:
32 192 шт
Цена от:
от 14,02
Акция
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11А 38Вт, 0.175 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
175 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 356 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
385 шт
Цена от:
от 57,88
MMF60R360PTH MMF60R360PTH Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 31Вт
Производитель:
Magna Chip
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Мощность макс.:
31Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
139 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 50,28
-6% Акция
SPA11N60C3XKSA1 SPA11N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 34Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
192 шт

Внешние склады:
40 шт
Цена от:
от 153,04
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Транзистор полевой 600В 11A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
203 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 170,32
SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
156Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
85нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 157 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 176,31
-6% Акция
STB13N60M2 STB13N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 110Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263) type A
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
580пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
275 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 65,61
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62102 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"