FP75R12KE3BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 A, 355Вт
Цена от:
19 369,80 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 2+ 3+ 4+ 5+20 241,96 ₽ 20 097,26 ₽ 19 920,15 ₽ 19 691,78 ₽ 19 369,80 ₽Срок:В наличииНаличие:8Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание FP75R12KE3BOSA1
IGBT Modules, Infineon
The<B> Infineon</B> range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBTs can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP <sup>TM</sup> and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.
| Максимальная рабочая температура | +125 °C |
| Длина | 122мм |
| Transistor Configuration | Трехфазный |
| Производитель | Infineon |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 1200 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 105 A |
| Тип корпуса | AG-ECONO3-3 |
| Максимальное рассеяние мощности | 355 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на панель |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
| Ширина | 62мм |
| Высота | 17мм |
| Размеры | 122 x 62 x 17мм |
| Конфигурация | 3-фазный мост |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Тип канала | N |
| Вес, г | 180 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FP75R12KE3BOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 A, 355Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара