FP75R12KE3BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 A, 355Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
IGBT-module, IGBT 3, 1200V, 75A, 3-phase, rectifier, chopper, temperature sensor
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 A, 355Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 A, 355Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
FP75R12KE3BOSA1
Документы:
Описание FP75R12KE3BOSA1
IGBT Modules, Infineon
The<B> Infineon</B> range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. <BR/>The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBTs can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP <sup>TM</sup> and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.<BR/>
| Максимальная рабочая температура | +125 °C |
| Длина | 122мм |
| Transistor Configuration | Трехфазный |
| Производитель | Infineon |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 1200 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 105 A |
| Тип корпуса | AG-ECONO3-3 |
| Максимальное рассеяние мощности | 355 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на панель |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
| Ширина | 62мм |
| Высота | 17мм |
| Размеры | 122 x 62 x 17мм |
| Конфигурация | 3-фазный мост |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Тип канала | N |
| Вес, г | 180 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара