FF100R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт
Код товара: 139729
Дата обновления: 24.09.2021 13:00
Цена от: 4 389,38 руб.
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка FF100R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    34 mm
  • Тип упаковки
    Штучный товар
  • Нормоупаковка
    10 шт.
  • Вес брутто
    189.5 г.

Описание FF100R12RT4HOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт

IGBT/IGBT 1200V 100A 34MM-1
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А

Maximum Operating Temperature+150 °C
Length94мм
Transistor ConfigurationСерия
BrandInfineon
Maximum Collector Emitter Voltage1200 В
Maximum Continuous Collector Current100 А
Package TypeAG-34MM-1
Maximum Power Dissipation555 W
Mounting TypeМонтаж на панель
Minimum Operating Temperature-40 °C
Width34мм
Высота30.2мм
Dimensions94 x 34 x 30.2mm
ConfigurationСерия
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Channel TypeN
Вес, г160