FF150R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт

Код товара: 139799

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FF150R12RT4HOSA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Module N-CH 1200V 150A 790 W Tray
Тип упаковки:
Tray (палетта)
Нормоупаковка:
10 шт
Корпус:
34 mm
Показать аналоги

Описание FF150R12RT4HOSA1

Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А

Вес, г160

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

FF150R12RT4 Полный аналог DUAL SERIES IGBT MODULE 1200V 150A Производитель: Infineon Technologies
Наличие:
0 шт

Под заказ:
53 шт
Цена от:
от 6 302,53

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FF150R12RT4HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.