FF150R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт

Код товара: 139799

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FF150R12RT4HOSA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Module N-CH 1200V 150A 790 W Tray
Тип упаковки:
Tray (палетта)
Нормоупаковка:
10 шт
Корпус:
34 mm
Показать аналоги

Описание FF150R12RT4HOSA1

Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А

Вес, г160

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

FF150R12RT4 Полный аналог DUAL SERIES IGBT MODULE 1200V 150A Производитель: Infineon Technologies
Наличие:
0 шт

Под заказ:
72 шт
Цена от:
от 6 071,34

Способы доставки в Калининград

Доставка FF150R12RT4HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 367
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2639
EMS
от 5 раб. дней
от 1548
Почта России
от 17 раб. дней
от 720
СДЭК
от 4 раб. дней
от 743
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.