FF450R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 450А

Код товара: 139805

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FF450R12KT4HOSA1
Производитель:
Описание Eng:
62mm C-Series module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode
Тип упаковки:
Tray (палетта)
Нормоупаковка:
10 шт
Корпус:
AG-62MMHB
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Показать аналоги

Технические параметры

Напряжение коллектор-эмиттер

1200В

Вес брутто

340 г.

Описание FF450R12KT4HOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 450А

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

Акция
HFGM450A 1200V Функциональный аналог Модуль силовой IGBT 1200В/450A Производитель: ZHEJIANG HUAJING RECTIFIER CO.,LTD
Наличие:
6 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 5 075,07
XNG450B24KC2S Полный аналог Полумостовой модуль IGBT 1200В 450A 62мм Производитель: Xiner Semiconductor Technology Co., Ltd
Наличие:
2 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 8 883,03
DFI450HF12DF1 Полный аналог IGBT Модуль Half Bridge 1200В 450А, корпус 62мм Производитель: Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd.
AP450H12X4B Полный аналог Полумостовой модуль IGBT 1200В, 450A, корпус 62мм Производитель: APEMIC

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FF450R12KT4HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 450А в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 175
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146
EMS
от 1 раб. дня
от 1154
Почта России
от 1 раб. дня
от 366
СДЭК
от 2 раб. дней
от 219
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.