FF200R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FF200R12KE3HOSA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT-модуль, Trench-IGBT 3, 1200В, 200А, сдвоенный
Тип упаковки:
Paper Box
Нормоупаковка:
10 шт
Корпус:
62 mm
Цена от:
15 283,35 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 2+ 3+ 4+ 5+17 523,76 ₽ 16 756,52 ₽ 16 147,53 ₽ 15 651,52 ₽ 15 283,35 ₽Срок:В наличииНаличие:4Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FF200R12KE3HOSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FF200R12KE3HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара