FF300R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 300 А, 1450Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
IGBT-модуль, Trench-IGBT 3, 1200В, 300А, сдвоенный
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 300 А, 1450Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 300 А, 1450Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
FF300R12KE3HOSA1
Документы:
Технические параметры
-
Корпус62 mm
-
Тип упаковкиКоробка с паллетами
-
Нормоупаковка10 шт
-
Вес брутто356 г.
Описание FF300R12KE3HOSA1
IGBT Modules, Infineon
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT's can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.
| Максимальная рабочая температура | +125 °C |
| Длина | 106.4мм |
| Transistor Configuration | Серия |
| Производитель | Infineon |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 1200 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 440 A |
| Тип корпуса | AG-62MM-1 |
| Максимальное рассеяние мощности | 1.45 kW |
| Тип монтажа | Монтаж на панель |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
| Ширина | 61.4мм |
| Высота | 30.9мм |
| Размеры | 106.4 x 61.4 x 30.9мм |
| Конфигурация | Серия |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Тип канала | N |
| Вес, г | 340 |
Сообщите мне о поступлении товара