FF200R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FF200R12KE3HOSA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT-модуль, Trench-IGBT 3, 1200В, 200А, сдвоенный
Тип упаковки:
Paper Box
В упаковке:
10 шт
Корпус:
62 mm
Цена от:
17 402,00 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 2+ 3+ 4+ 5+19 923,80 ₽ 19 060,20 ₽ 18 374,72 ₽ 17 816,41 ₽ 17 402,00 ₽Срок:В наличииНаличие:2Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FF200R12KE3HOSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FF200R12KE3HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 682 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1532 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 1090 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 611 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
