FF200R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

IGBT-модуль, Trench-IGBT 3, 1200В, 200А, сдвоенный

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт

FF200R12KE3 pdf, 252,9 кБ

Код товара: 139962

Дата обновления: 19.04.2024 16:10

Цена от: 15 199,00 руб.

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка FF200R12KE3HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

62 mm
Тип упаковки

Paper Box
Нормоупаковка

10 шт
Вес брутто

365 г.

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← BSM50GX120DN2BOSA1 FF300R12KE3HOSA1 →