FDN358P, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 1.5 А, 0.5 Вт, 0.06 Ом

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 1.5 А, 0.5 Вт, 0.06 Ом
Код товара: 145799
Дата обновления: 05.08.2021 06:10
Цена от: 6,19 руб.
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка FDN358P, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 1.5 А, 0.5 Вт, 0.06 Ом в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    SOT23-3
  • Тип упаковки
    Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка
    3000 шт.
  • Вес брутто
    0.05 г.
  • Напряжение исток-сток макс.
    30V
  • Ток стока макс.
  • Мощность макс.
  • Тип транзистора
  • Особенности

Описание FDN358P

Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 1.5 А, 0.5 Вт, 0.06 Ом

The FDN358P is a P-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It comes with high power version of industry standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30% higher power handling capability. It is well suited for load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion application.

• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• 4nC Typical low gate charge

Максимальная рабочая температура+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока1,5 А
Тип корпусаSOT-23
Максимальное рассеяние мощности500 мВт
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Ширина1.4мм
Высота0.94мм
Размеры2.92 x 1.4 x 0.94мм
Материал транзистораSI
Количество элементов на ИС1
Длина2.92мм
Transistor ConfigurationОдинарный
Типичное время задержки включения5 нс
ПроизводительON Semiconductor
Типичное время задержки выключения12 нс
СерияPowerTrench
Минимальная рабочая температура-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Максимальное сопротивление сток-исток125 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток30 V
Число контактов3
КатегорияМощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs4 нКл при 10 В
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds182 пФ при 15 В
Тип каналаP
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Вес, г0.05