FDN358P, Транзистор полевой P-канальный 30В 1.5А 0.5Вт, 0.06 Ом
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SuperSOT T/R
Транзистор полевой P-канальный 30В 1.5А 0.5Вт, 0.06 Ом
Транзистор полевой P-канальный 30В 1.5А 0.5Вт, 0.06 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FDN358P
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOT-23 (SuperSOT-3)
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт
-
Вес брутто0.03 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FDN358P
The FDN358P is a P-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It comes with high power version of industry standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30% higher power handling capability. It is well suited for load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion application.
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• 4nC Typical low gate charge
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 1,5 А |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Максимальное рассеяние мощности | 500 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 1.4мм |
| Высота | 0.94мм |
| Размеры | 2.92 x 1.4 x 0.94мм |
| Материал транзистора | SI |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 2.92мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 5 нс |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 12 нс |
| Серия | PowerTrench |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 125 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 4 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 182 пФ при 15 В |
| Тип канала | P |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.05 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара