FDV303N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 680мА, 0.35Вт
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
2,40 руб.
-
1+ 912+ 1824+ 3000+ 9000+6,60 ₽ 5,70 ₽ 4,98 ₽ 4,56 ₽ 4,14 ₽Срок:В наличииНаличие:430Минимум:46Количество в заказ
-
1+ 912+ 1824+ 3000+ 9000+6,60 ₽ 5,70 ₽ 4,98 ₽ 4,56 ₽ 4,14 ₽Срок:В наличииНаличие:56Минимум:8Количество в заказ
-
3055+ 4505+ 9053+2,82 ₽ 2,46 ₽ 2,40 ₽Срок:25 днейНаличие:39 089Минимум:Мин: 3 055Количество в заказ
Технические параметры
Описание FDV303N
FDV303N является N-канальным полевым транзистором уровня логики с режимом обогащения в корпусе SOT-23. Устройство обладает высокой плотностью элементов, DMOS технологией для минимизации сопротивления во включенном состоянии и поддержки низкого состояния драйвера затвора. Обладает отличным сопротивлением включенного состояния даже при маленьком напряжении драйвера затвора (2.5В). Предназначен для использования в схемах с питанием от батареи (одной литиевой, 3-х кадмиевых или NIHM), инверторах, схемах DC/DC преобразования в сотовых телефонах или пейджерах.
• Напряжение сток-исток (Vds) 25В
• Напряжение затвор-исток 8В
• Непрерывный ток стока 680мА
• Рассеивание мощности 350мВт
• Низкое сопротивление в открытом состоянии 330Ом при Vgs 4.5В
• Диапазон рабочей температуры от -55°C до 150°C
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.68 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.45 ом при 0.5а, 4.5в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 |
| Крутизна характеристики, S | 1.45 |
| Корпус | sot23 |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.65…1.5 |
| Вес, г | 0.05 |
