Одиночные MOSFET транзисторы

₁₈

Сопротивление открытого канала: 450 мОм

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1872)
Surface Mount (3376)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (18)

FDV303N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 680мА, 0.35Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

680мА

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

350мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

2.3нКл

Входная емкость:

50пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

486 шт

Внешние склады:

39 089 шт

Аналоги:

62 450 шт

Цена от:

от 2,40₽

SPA11N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO220-3 (fully isolated)

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

41Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

85нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

80 шт

Внешние склады:

200 шт

Цена от:

от 202,74₽

SPP11N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO220-3

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

156Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

85нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

2 143 шт

Внешние склады:

200 шт

Цена от:

от 140,16₽

IPA80R450P7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

29Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

770пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

500 шт

Цена от:

от 167,46₽

IRF634PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 8.1А 74Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

8.1A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

770пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

800 шт

Цена от:

от 58,74₽

IRFB13N50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 250Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220 Isolated Tab

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

81нКл

Входная емкость:

1910пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

20 000 шт

Цена от:

от 176,52₽

PMXB360ENEAZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 1.1A автомобильного применения 3-Pin DFN-D EP лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

3-DFN (1.1x1)

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

1.1A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

400мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.7В

Заряд затвора:

4.5нКл

Входная емкость:

130пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

5 000 шт

Цена от:

от 9,36₽

PMZB350UPE,315 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

3-DFN1006B (0.6x1)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

360мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

950mВ

Заряд затвора:

1.9нКл

Входная емкость:

127пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

10 000 шт

Цена от:

от 3,54₽

STB11NM60T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 11A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

1000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

18 000 шт

Цена от:

от 131,10₽

STB13N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 12A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

870пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

5 000 шт

Цена от:

от 112,74₽

STP11NM60FD Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

66 шт

Цена от:

от 172,14₽

STP13N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 12A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

870пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

50 шт

Цена от:

от 481,14₽

DMG1012UW-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1A автомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-323

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

290мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

0.74нКл

Входная емкость:

60.67пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP9N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

300В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

98Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

750пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF634STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 8.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

8.1A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

770пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD11NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF11NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

850пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP11NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 90Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

850пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"